处理中...

首页  >  产品百科  >  CSD17577Q5AT

CSD17577Q5AT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TEXAS INSTRUMENTS
产品描述: 3W(Ta),53W(Tc) 20V 1.8V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 30V 4.2mΩ@ 18A,10V 60A 2.31nF@15V SON 贴片安装 6mm*4.9mm*1mm
供应商型号: CSD17577Q5AT
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
TEXAS INSTRUMENTS 场效应管(MOSFET) CSD17577Q5AT

CSD17577Q5AT概述

    CSD17577Q5A:30V N-Channel NexFET™ 功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    CSD17577Q5A 是一种 30V 的 N-通道 NexFET™ 功率 MOSFET,专为电源转换应用设计,可将导通电阻降至最低。此器件具有低栅极电荷、低热阻、雪崩耐受等特点,适用于网络、电信、计算系统等领域的同步降压应用。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏电流(ID):60A (封装限制),83A (硅片限制)
    - 额定功率耗散(PD):53W (TC = 25°C)
    - 电气特性:
    - 低阈值电压(VGS(th)):1.4V
    - 导通电阻(RDS(on)):4.8mΩ @ VGS = 4.5V, 3.5mΩ @ VGS = 10V
    - 输入电容(Ciss):1780pF
    - 输出电容(Coss):208pF
    - 传输电容(Crss):79pF
    - 栅极电荷(Qg):13nC @ VGS = 4.5V, 27nC @ VGS = 10V
    - 栅极电荷门极至漏极(Qgd):2.8nC @ VDS = 15V, ID = 18A
    - 栅极电荷门极至源极(Qgs):5.1nC
    - 热学参数:
    - 结到外壳热阻(RθJC):2.8°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):50°C/W (最大)

    3. 产品特点和优势


    CSD17577Q5A 具有以下几个独特功能和优势:
    - 低 RDS(on) 值:在不同电压下表现出色,确保高效能。
    - 低栅极电荷(Qg):有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 雪崩耐受性:增强器件在高瞬态条件下的可靠性。
    - 绿色环保:符合无铅终端镀层和 RoHS 标准,无卤素。

    4. 应用案例和使用建议


    CSD17577Q5A 广泛应用于同步降压应用中,如网络、电信、计算系统中的点负载电源模块。建议在应用时注意以下几点:
    - 选择适当的栅极电阻(RG)以确保可靠的开关性能。
    - 考虑 PCB 设计中的散热管理,特别是高电流情况下的散热。

    5. 兼容性和支持


    CSD17577Q5A 兼容标准的 PCB 设计和包装,便于集成到现有系统中。德州仪器(Texas Instruments)提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用笔记和设计工具,以帮助用户进行设计和测试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何降低开关损耗?
    - 解决方案:使用较低的栅极电荷(Qg)和优化栅极电阻(RG)。

    - 问题:如何提高系统的可靠性和稳定性?
    - 解决方案:选择适当的散热管理方案,避免过热。

    7. 总结和推荐


    CSD17577Q5A 在电源转换应用中表现出卓越的性能,尤其适合需要高效能、低损耗的应用场合。推荐在关键应用中使用该器件,并且建议详细阅读德州仪器提供的技术文档以确保正确设计和使用。
    本文对 CSD17577Q5A 的特性进行了全面的概述,旨在帮助工程师更好地了解和使用这一高效的功率 MOSFET。

CSD17577Q5AT参数

参数
栅极电荷 35nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 18A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V@ 250µA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.31nF@15V
最大功率耗散 3W(Ta),53W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 60A
长*宽*高 6mm*4.9mm*1mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

CSD17577Q5AT厂商介绍

Texas Instruments(简称TI),是一家总部位于美国德克萨斯州达拉斯的全球性半导体设计与制造公司,成立于1930年。TI是全球领先的模拟技术、数字信号处理和微控制器(MCU)领域的供应商。

主营产品分类:
1. 模拟产品:包括电源管理、信号链和接口产品,广泛应用于工业、汽车、医疗等领域。
2. 嵌入式处理:包括微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)和处理器,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
3. 无线产品:包括无线通信模块和解决方案,应用于物联网、智能城市、智能家居等领域。
4. 计算器:TI也是知名的计算器制造商,拥有多款科学计算器和图形计算器产品。

应用领域:
TI的产品和技术广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车、工业、医疗等多个领域。

优势:
1. 技术创新:TI在模拟、嵌入式处理和无线通信领域拥有强大的研发实力和专利技术。
2. 产品多样性:TI提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 客户支持:TI在全球设有技术支持中心,为客户提供专业的技术支持和解决方案。
4. 供应链管理:TI拥有强大的供应链管理能力,确保产品的稳定供应和交付。

CSD17577Q5AT数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TEXAS INSTRUMENTS 场效应管(MOSFET) TEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q5AT CSD17577Q5AT数据手册

CSD17577Q5AT封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 4.7724
3000+ ¥ 4.656
6000+ ¥ 4.5008
库存: 169329
起订量: 1000 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 4772.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0