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CSD85312Q3E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TEXAS INSTRUMENTS
产品描述: 2.5W 10V 1.4V@ 250µA 15.2nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 12.4mΩ@ 10A,8V 39A 2.39nF@10V SON 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1mm
供应商型号: CSD85312Q3E
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
TEXAS INSTRUMENTS 场效应管(MOSFET) CSD85312Q3E

CSD85312Q3E概述


    产品简介


    CSD85312Q3E 是一款由德州仪器(Texas Instruments)生产的双20V N通道NexFET™ 功率MOSFET器件。该器件专为笔记本电脑和平板电脑的适配器或USB输入保护而设计。具有低漏源导通电阻和紧凑封装,使其在电池充电应用中成为理想选择。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 漏极到源极电压(VDS):20 V
    - 门极到源极阈值电压(VGS(th)):1.1 V(典型值)
    - 漏极到源极导通电阻(RDD(on)):
    - VGS = 4.5 V,ID = 10 A:11.7 mΩ(典型值)
    - VGS = 8 V,ID = 10 A:10.3 mΩ(典型值)
    - 动态电容:
    - 输入电容(Ciss):1840 pF(典型值)
    - 输出电容(Coss):492 pF(典型值)
    - 反向传输电容(Crss):31 pF(典型值)
    - 其他参数:
    - 额定功率:2.5 W
    - 工作温度范围:-55°C 到 150°C
    - 热阻:
    - 结至壳体热阻(RθJC):3.0°C/W
    - 结至环境热阻(RθJA):63°C/W(典型值)

    产品特点和优势


    1. 低漏源导通电阻:漏源导通电阻在VGS = 4.5 V时仅为11.7 mΩ,显著降低了功耗。
    2. 空间节省:采用3.3 x 3.3 mm塑料SON封装,节省板载空间。
    3. 优化的门驱动:专门针对5V门驱动进行优化。
    4. 高可靠性:雪崩耐受能力,确保在极端条件下稳定工作。
    5. 环保材料:无铅、符合RoHS标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 笔记本电脑和平板电脑的适配器或USB输入保护。
    - 多单元电池充电系统,以减少组件数量并优化空间利用率。
    使用建议:
    - 确保电路设计充分考虑散热需求,以避免热失控。
    - 在高温环境下工作时,需合理调整门极电阻以保证正常运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:CSD85312Q3E 与其他需要类似电气特性的N通道MOSFET器件兼容。
    - 支持:德州仪器提供了详尽的技术支持文档,如应用笔记SLPA005,帮助设计人员更好地利用这一器件。同时,提供样品和购买渠道,方便工程师测试和集成。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度过高导致器件损坏。
    - 解决方案:优化散热设计,使用外部散热片或散热风扇。
    2. 问题:电路中出现振铃现象。
    - 解决方案:参考德州仪器的应用笔记SLPA005,通过优化PCB布局减少振铃现象。
    3. 问题:器件未能正常启动。
    - 解决方案:检查门极电阻设置是否正确,必要时调整门极电阻以确保正常启动。

    总结和推荐


    总结:
    CSD85312Q3E 在低漏源导通电阻、紧凑封装和高可靠性方面表现出色。特别适用于适配器或USB输入保护等应用。德州仪器提供了丰富的技术资料和支持服务,使设计人员能够高效地将这款器件集成到其产品中。
    推荐:
    CSD85312Q3E 是一个值得推荐的高性能MOSFET器件,适合于追求高效能、紧凑设计和高可靠性的工程师选用。如果您的项目对这些特性有严格要求,强烈建议考虑使用CSD85312Q3E。

CSD85312Q3E参数

参数
栅极电荷 15.2nC@ 4.5V
最大功率耗散 2.5W
Rds(On)-漏源导通电阻 12.4mΩ@ 10A,8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.39nF@10V
Vgs-栅源极电压 10V
配置
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.4V@ 250µA
FET类型 2个N沟道
通道数量 2
Id-连续漏极电流 39A
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

CSD85312Q3E厂商介绍

Texas Instruments(简称TI),是一家总部位于美国德克萨斯州达拉斯的全球性半导体设计与制造公司,成立于1930年。TI是全球领先的模拟技术、数字信号处理和微控制器(MCU)领域的供应商。

主营产品分类:
1. 模拟产品:包括电源管理、信号链和接口产品,广泛应用于工业、汽车、医疗等领域。
2. 嵌入式处理:包括微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)和处理器,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
3. 无线产品:包括无线通信模块和解决方案,应用于物联网、智能城市、智能家居等领域。
4. 计算器:TI也是知名的计算器制造商,拥有多款科学计算器和图形计算器产品。

应用领域:
TI的产品和技术广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车、工业、医疗等多个领域。

优势:
1. 技术创新:TI在模拟、嵌入式处理和无线通信领域拥有强大的研发实力和专利技术。
2. 产品多样性:TI提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 客户支持:TI在全球设有技术支持中心,为客户提供专业的技术支持和解决方案。
4. 供应链管理:TI拥有强大的供应链管理能力,确保产品的稳定供应和交付。

CSD85312Q3E数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS 场效应管(MOSFET) TEXAS INSTRUMENTS CSD85312Q3E CSD85312Q3E数据手册

CSD85312Q3E封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 3.304
2000+ ¥ 3.22
3000+ ¥ 3.136
库存: 11000
起订量: 1000 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 3304
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