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CSD18536KTT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TEXAS INSTRUMENTS
产品描述: 375W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 140nC@ 10 V 1个N沟道 60V 1.6mΩ@ 100A,10V 200A 11.43nF@30V DDPAK,TO-263-3 贴片安装 9.25mm*10.26mm*4.7mm
供应商型号: CSD18536KTT
供应商: 国内现货
标准整包数: 250
TEXAS INSTRUMENTS 场效应管(MOSFET) CSD18536KTT

CSD18536KTT概述

    CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

    1. 产品简介


    CSD18536KTT 是一款由德州仪器(Texas Instruments)生产的高性能 60 V N-通道 NexFET™ 功率 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于降低功率转换应用中的损耗,具备超低栅极电荷(Qg 和 Qgd)、低热阻抗、雪崩额定值、无铅终端镀层及符合 RoHS 规范的特点。

    2. 技术参数


    CSD18536KTT 的关键技术规格如下:
    - 最大漏源电压 (VDS):60 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):200 A(封装限制),349 A(硅片限制)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):400 A
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):1.3 mΩ @ 10 V VGS
    - 输入电容 (Ciss):8790 pF @ 1 MHz
    - 输出电容 (Coss):1410 pF
    - 栅极电荷 (Qg):108 nC @ 10 V
    - 栅极到源极电荷 (Qgs):18 nC
    - 栅极到漏极电荷 (Qgd):14 nC
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.8 V
    - 最大热阻 (RθJA):62 °C/W
    - 封装:D2PAK (TO-263)

    3. 产品特点和优势


    - 超低栅极电荷:Qg 和 Qgd 极低,可显著减少开关损耗。
    - 低热阻抗:确保高效的散热性能。
    - 雪崩额定值:具有高可靠性,适合苛刻的应用环境。
    - 环保材料:无铅终端镀层,符合 RoHS 和 Halogen Free 标准。
    - 塑料封装:采用 D2PAK 塑料封装,适用于多种应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 适用应用:主要用于同步整流、电机控制等领域。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,注意避免过度的栅极电压,以防止击穿。
    - 选择合适的栅极电阻以优化开关速度。
    - 确保良好的散热设计,特别是在高电流和高温度环境下使用。

    5. 兼容性和支持


    CSD18536KTT 与各种标准的 PCB 和 D2PAK 封装兼容,便于集成到现有设计中。德州仪器提供全面的技术文档和支持服务,包括 E2E 社区、设计支持工具以及详细的封装指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的漏极电流导致过热?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,适当增加散热片面积。

    - 问题:开关过程中出现较大的栅极电压波动?
    - 解决方案:检查栅极电阻值,确保在合理的范围内。

    - 问题:出现意外的栅极电荷?
    - 解决方案:确保使用正确的测试条件和参数测量,检查是否存在短路。

    7. 总结和推荐


    综上所述,CSD18536KTT 是一款高性能的功率 MOSFET,特别适用于需要低损耗、高可靠性的应用场景。其出色的电气特性和坚固的设计使其在市场上具有很强的竞争力。推荐给需要高效能功率转换应用的工程师们。

CSD18536KTT参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 140nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 200A
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 375W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6mΩ@ 100A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11.43nF@30V
长*宽*高 9.25mm*10.26mm*4.7mm
通用封装 DDPAK,TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

CSD18536KTT厂商介绍

Texas Instruments(简称TI),是一家总部位于美国德克萨斯州达拉斯的全球性半导体设计与制造公司,成立于1930年。TI是全球领先的模拟技术、数字信号处理和微控制器(MCU)领域的供应商。

主营产品分类:
1. 模拟产品:包括电源管理、信号链和接口产品,广泛应用于工业、汽车、医疗等领域。
2. 嵌入式处理:包括微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)和处理器,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
3. 无线产品:包括无线通信模块和解决方案,应用于物联网、智能城市、智能家居等领域。
4. 计算器:TI也是知名的计算器制造商,拥有多款科学计算器和图形计算器产品。

应用领域:
TI的产品和技术广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车、工业、医疗等多个领域。

优势:
1. 技术创新:TI在模拟、嵌入式处理和无线通信领域拥有强大的研发实力和专利技术。
2. 产品多样性:TI提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 客户支持:TI在全球设有技术支持中心,为客户提供专业的技术支持和解决方案。
4. 供应链管理:TI拥有强大的供应链管理能力,确保产品的稳定供应和交付。

CSD18536KTT数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS 场效应管(MOSFET) TEXAS INSTRUMENTS CSD18536KTT CSD18536KTT数据手册

CSD18536KTT封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
250+ ¥ 23.01
500+ ¥ 22.425
750+ ¥ 21.84
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起订量: 250 增量: 500
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