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20N70L-TF1-T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述:
供应商型号: 14M-20N70L-TF1-T TO-220F1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) 20N70L-TF1-T

20N70L-TF1-T概述

    20N70-HCQ Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    20N70-HCQ 是一款由 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款电子元器件主要用于低电压应用领域,例如汽车电子、高效率交流/直流转换器和直流电机控制等。其特点是低导通电阻(RDS(ON))、高开关速度和大电流承载能力,特别适用于需要高效能和快速响应的应用场景。

    技术参数


    以下是 20N70-HCQ 的详细技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):700 V
    - 栅源电压(VGSS):±30 V
    - 连续漏极电流(ID):20 A
    - 脉冲峰值电流(IM):40 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):590 mJ
    - 峰值二极管恢复电压变化率(dv/dt):2.2 V/ns
    - 功耗(PD):45 W
    - 结温(TJ):+150 °C
    - 存储温度(TSTG):-55 ~ +150 °C
    - 热数据
    - 结到环境热阻(θJA):62.5 °C/W
    - 结到外壳热阻(θJC):2.77 °C/W
    - 电气特性
    - 离态特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):700 V
    - 漏源泄漏电流(IDSS):10 μA
    - 正向栅源泄漏电流(IGSS):+100 nA(VGS=+30V)
    - 反向栅源泄漏电流(IGSS):-100 nA(VGS=-30V)
    - 通态特性
    - 栅阈值电压(VGS(TH)):2.0~4.0 V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.5~0.6 Ω(VGS=10V, ID=10A)
    - 动态参数
    - 输入电容(CISS):2800 pF
    - 输出电容(COSS):240 pF
    - 逆向转移电容(CRSS):23 pF
    - 总栅极电荷(QG):70 nC
    - 栅源电荷(QGS):18 nC
    - 栅漏电荷(QGD):23 nC
    - 开启延迟时间(tD(ON)):40 ns
    - 上升时间(tR):30 ns
    - 关闭延迟时间(tD(OFF)):210 ns
    - 下降时间(tF):56 ns

    产品特点和优势


    20N70-HCQ 具有以下几个显著的优势:
    - 低导通电阻:在 VGS=10V、ID=10A 条件下,RDS(ON) ≤ 0.6 Ω,确保了较低的功耗和高效的电力转换。
    - 高开关速度:快速的开启和关闭时间(40 ns 和 56 ns),使得该器件非常适合高频应用。
    - 大电流承载能力:连续漏极电流为 20 A,脉冲峰值电流可达 40 A,适合大功率应用场景。
    - 可靠性和耐用性:耐高压和高温度条件,可在 -55°C 到 +150°C 的环境中稳定运行。

    应用案例和使用建议


    根据技术手册中的信息,20N70-HCQ 可以应用于多种场景,例如:
    - 汽车电子:由于其低功耗和高效能,非常适合用于汽车电源管理模块。
    - AC/DC 转换器:适用于需要高效率转换的场合。
    - 直流电机控制:能够提供快速且精确的电流控制,确保电机平稳运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要合理设置栅极电阻,以确保开关速度和降低功耗。
    - 选择适当的散热片和散热策略,避免过热影响器件性能。
    - 使用适当的滤波电容来减小电容变化对性能的影响。

    兼容性和支持


    20N70-HCQ 采用 TO-220F1 和 TO-220F2 封装,可与其他标准 TO-220 封装的器件互换使用。UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的技术文档和专业的客户支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件发热严重,导致工作不稳定。
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或使用风扇强制风冷。

    - 问题2:栅极电压设置不正确,导致开关异常。
    - 解决方案:确保栅极驱动电压在适当范围内(通常为 10V),并使用合适的栅极电阻。

    - 问题3:器件损坏,无法正常工作。
    - 解决方案:检查电路是否存在短路或过压现象,确保输入电压和电流不超过绝对最大额定值。

    总结和推荐


    总体而言,20N70-HCQ 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。其优异的导通电阻、高速开关能力和高电流承载能力使其在市场上具有很强的竞争优势。对于需要高效率和快速响应的应用,推荐使用 20N70-HCQ。

20N70L-TF1-T参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-220F1

20N70L-TF1-T数据手册

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UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTC/台湾友顺科技 20N70L-TF1-T 20N70L-TF1-T数据手册

20N70L-TF1-T封装设计

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30+ ¥ 4.0382
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