处理中...

首页  >  产品百科  >  UT3N06G-AE3-R

UT3N06G-AE3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述: 350mW 3V@ 250uA 60V 90mΩ@ 10V,3A 3A SOT-23 贴片安装
供应商型号: 14M-UT3N06G-AE3-R SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UT3N06G-AE3-R

UT3N06G-AE3-R概述

    UT3N06 Power MOSFET:高效率低导通电阻N通道增强型功率MOSFET

    产品简介


    UT3N06 是由 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 设计的一款 N 通道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。此款 MOSFET 特别适合于商业和工业领域内的多种应用,具备非常低的导通电阻,从而提供高效率和成本效益。

    技术参数


    UT3N06 的技术参数如下所示:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS 60 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±20 V |
    | 持续漏极电流 | ID | 3 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 12 | A |
    | 功耗 | PD 2 | W |
    | 热阻抗 | θJA 62 | °C/W |
    | 开启门限电压 | VGS(TH) | 1.0 | 3.0 V |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | 65 | 90 mΩ |
    | 输入电容 | CISS | 475 pF |
    | 输出电容 | COSS | 40 pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | 30 pF |

    产品特点和优势


    UT3N06 主要具有以下几个显著的特点和优势:
    - 简单驱动要求:UT3N06 具有简单驱动需求,可以有效降低系统复杂度,提高整体系统的可靠性和可维护性。
    - 高效能:其非常低的导通电阻确保了高效率,使其适用于需要长时间工作的场合。
    - 成本效益:UT3N06 在保持高性能的同时提供了良好的成本效益,非常适合大规模应用。
    - 广泛的应用范围:适用于多个行业,如商业和工业领域,具有很强的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    UT3N06 在许多应用场景中都有着出色的表现,包括但不限于电源转换、电机控制和电池管理等领域。以下是一些具体的使用建议:
    - 开关电源:UT3N06 可以用于开关电源的设计中,因其低导通电阻和高效能特性,能够有效降低能耗,提升电源转换效率。
    - 电机驱动:在电机驱动电路中,UT3N06 的快速开关时间和低栅极电荷特性有助于提高电机控制的精度和响应速度。
    - 电池管理系统:UT3N06 在电池管理系统的保护电路中表现出色,确保电池的充放电过程稳定高效。

    兼容性和支持


    UT3N06 支持多种封装形式,包括 SOT-223、SOT-89、SOT-23、TO-220 和 TO-251/TO-252。厂商提供详尽的技术支持文档和售后保障,确保客户在使用过程中得到全面的支持。

    常见问题与解决方案


    以下是用户在使用 UT3N06 时可能遇到的一些问题及相应的解决方法:
    - 问题:导通电阻过高导致发热严重
    - 解决方法:检查是否达到额定电流值,适当调整驱动电路以减少发热。
    - 问题:驱动电路信号不稳定
    - 解决方法:确认驱动信号质量,确保有足够的驱动电压和电流。
    - 问题:开关时间长
    - 解决方法:检查电路设计,确保正确的栅极电阻和驱动信号频率。

    总结和推荐


    UT3N06 是一款性能优异的 N 通道增强型功率 MOSFET,凭借其低导通电阻、高效率和成本效益,在众多应用场景中表现卓越。其简单驱动需求和广泛的适用范围使其在市场上具有很强的竞争优势。因此,强烈推荐给寻求高效能和低成本解决方案的设计工程师。

UT3N06G-AE3-R参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 10V,3A
Id-连续漏极电流 3A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
通道数量 -
最大功率耗散 350mW
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

UT3N06G-AE3-R数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTC/台湾友顺科技 UT3N06G-AE3-R UT3N06G-AE3-R数据手册

UT3N06G-AE3-R封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4223
50+ ¥ 0.3974
150+ ¥ 0.3547
1500+ ¥ 0.2977
15000+ ¥ 0.2584
450000+ ¥ 0.2484
库存: 2950
起订量: 5 增量: 15000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.11
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504