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IXFK100N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 500W(Tc) 20V 4V@8mA 360nC@ 10 V 1个N沟道 100V 12mΩ@ 75A,10V 100A 9nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: ZT-IXFK100N10
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK100N10

IXFK100N10概述

    高性能功率MOSFETs — IXFK 100N10 和 IXFN 150N10 技术手册

    1. 产品简介


    IXFK 100N10 和 IXFN 150N10 是由IXYS公司生产的高性能功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)。这些器件属于N沟道增强型器件,主要用于高功率转换应用,如直流-直流转换器、同步整流、电池充电器、开关模式和谐振模式电源供应等。它们具有卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于各种温度控制和照明控制等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | IXFK 100N10 | IXFN 150N10 |
    |
    | 最大漏源电压 VDSS | 100 V | 100 V |
    | 漏极连续电流 ID | 100 A | 150 A |
    | 最大脉冲漏极电流 IDM | 560 A | 560 A |
    | 导通电阻 RDS(on) | 12 mΩ | 12 mΩ |
    | 栅极阈值电压 VGS(th)| 2 V 至 4 V | 2 V 至 4 V |
    | 栅极漏电 IGSS | < 200 nA | < 200 nA |
    | 重复源电流 ISM | 100 A | 150 A |
    | 反向恢复时间 trr | 150 ns 至 200 ns | 150 ns 至 200 ns |

    3. 产品特点和优势


    - 国际标准封装:采用符合JEDEC TO-264 AA 和 SOT-227 B标准的封装,提供更高的可靠性。
    - 低导通电阻:通过先进的HDMOSTM工艺,实现了极低的导通电阻,提高了能效。
    - 快速恢复二极管:具备快速的内部反向恢复特性,适用于高频应用。
    - 高功率密度:紧凑的设计使这些器件能够在有限的空间内实现高功率处理能力。
    - 抗雪崩性能:具备雪崩耐受能力,适用于要求严格的工业和汽车应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一个DC-DC转换器设计中,IXFK 100N10 和 IXFN 150N10 器件可以显著提高转换效率和稳定性。
    - 在电池充电器应用中,这些MOSFET可以提供高效且可靠的电力管理,减少热损耗。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高电流工作条件下,应使用适当的散热片以避免过热。
    - 对于高频应用,需注意寄生电感和电容的影响,合理选择外围元件以优化电路性能。
    - 在高温环境下使用时,应考虑额外的热管理措施,如增加散热器面积或采用液体冷却系统。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这些器件与大多数标准电路板布局和插槽兼容,可方便地替换现有设计中的其他品牌器件。
    - 支持:IXYS公司提供了全面的技术支持,包括详细的用户手册、设计指南和样品申请服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过温保护失效 | 检查散热片是否安装正确并保持良好的散热条件。 |
    | 开关频率过低 | 优化栅极驱动电路,确保驱动信号足够快。 |
    | 输出电流不足 | 检查电源电压是否稳定,重新调整驱动信号。 |

    7. 总结和推荐


    IXFK 100N10 和 IXFN 150N10 MOSFET凭借其卓越的电气性能、低导通电阻、高功率密度和可靠的设计,成为市场上优秀的高性能功率MOSFET选择。对于需要高效率、高可靠性的应用场合,强烈推荐使用这些器件。建议在设计阶段充分考虑散热需求,确保这些器件在所有可能的工作条件下都能安全稳定地运行。

IXFK100N10参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
栅极电荷 360nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 75A,10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 500W(Tc)
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK100N10厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK100N10数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK100N10 IXFK100N10数据手册

IXFK100N10封装设计

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