处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTA44P15T

IXTA44P15T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 298W(Tc) 15V 4V@ 250µA 175nC@ 10 V 1个P沟道 150V 65mΩ@ 22A,10V 44A 13.4nF@25V TO-263AA 贴片安装
供应商型号: 747-IXTA44P15T
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA44P15T

IXTA44P15T概述

    IXYS MOSFETs:IXTA44P15T, IXTP44P15T, IXTQ44P15T, IXTH44P15T
    IXYS Corporation,一家在全球范围内享有盛誉的电子元件制造商,近期推出了一款高性能P通道增强型MOSFET(IXTA44P15T、IXTP44P15T、IXTQ44P15T和IXTH44P15T)。这些MOSFET旨在满足现代电力转换系统中的各种需求,如高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、电流调节器以及电池充电器应用。本文将详细介绍这款产品的技术参数、特点、应用案例及其解决方案。

    产品简介


    - 类型:P通道增强型MOSFET
    - 主要功能:高效电能转换和电压控制
    - 应用领域:
    - 高侧开关
    - 推挽放大器
    - 直流斩波器
    - 自动测试设备
    - 电流调节器
    - 电池充电器应用

    技术参数


    以下是根据IXYS技术手册中提取的关于IXTA44P15T、IXTP44P15T、IXTQ44P15T和IXTH44P15T的主要技术参数列表:
    | 参数名称 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) |
    ||
    | VDSS(漏源电压) | - | -150 V | - |
    | VGS(th)(门限电压) | 2.0 V | 3.0 V | 4.0 V |
    | RDS(on)(导通电阻) | - | 65 mΩ | - |
    | ID25(漏极连续电流) | - | 44 A | - |
    | IDM(脉冲电流) | - | 130 A | - |
    | TJ(结温) | -55°C | 150°C | 150°C |
    | Tstg(存储温度) | -55°C | 150°C | 150°C |
    | PD(最大耗散功率) | - | 298 W | - |
    其他技术参数还包括:
    - 封装类型:TO-220AB, TO-247, TO-263, TO-3P
    - 重量:2.5g (TO-263), 3.0g (TO-220), 5.5g (TO-3P), 6.0g (TO-247)
    - 热阻:0.42°C/W (TO-220), 0.50°C/W (TO-247), 0.21°C/W (TO-3P)

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供多种封装选项,以适应不同的应用需求。
    - 雪崩额定值:能够承受高压下的瞬态能量,确保更高的可靠性和安全性。
    - 扩展的FBSOA(前沿安全工作区):提供更广泛的电流和电压范围,增加了系统的可靠性。
    - 快速体二极管:内置的快速体二极管提高了整体性能。
    - 低RDS(ON)和QG:具备低导通电阻和栅极电荷,降低了功耗和开关损耗。
    - 易于安装:简化了安装过程,节省空间,提高了功率密度。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 高侧开关:适用于需要高耐压和低导通电阻的应用场景。
    - 推挽放大器:能够提供高效的信号放大,适用于音频和电源领域。
    - 直流斩波器:在电机控制和电源管理中广泛应用。
    - 自动测试设备:可用于自动化测试设备中,提高测试精度和速度。
    - 电流调节器:在工业控制系统中作为电流调节的关键组件。
    - 电池充电器应用:用于电动汽车和便携式设备的充电管理。
    使用建议:
    - 在设计时,考虑实际应用的散热要求,确保良好的热管理。
    - 使用合适的电路布局和布局策略来减少寄生电容,从而降低电磁干扰(EMI)。
    - 对于高电流应用,选择适当的封装以提高散热效率。
    - 在开关应用中,考虑栅极电阻的选择,以平衡开关速度和功耗之间的关系。

    兼容性和支持


    IXTA44P15T、IXTP44P15T、IXTQ44P15T和IXTH44P15T系列MOSFET与现有的电路板设计具有良好的兼容性,可广泛应用于多种电子设备。IXYS公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括详尽的技术文档、应用指南和故障排除手册,以帮助客户解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET发热严重,导致器件损坏。
    - 解决方案:检查电路设计中的散热措施,增加散热片或采用水冷散热装置,确保MOSFET处于正常工作温度范围内。
    - 问题:在高频开关应用中出现振铃现象。
    - 解决方案:优化电路布局,增加滤波电容和稳压电感,减少寄生电感的影响,使用合适的栅极电阻进行控制。
    - 问题:输出电流不足,不能达到预期的负载需求。
    - 解决方案:检查电源和驱动电路的设计,确保提供足够的驱动电流和电压,选择合适的MOSFET型号以满足电流需求。

    总结和推荐


    IXTA44P15T、IXTP44P15T、IXTQ44P15T和IXTH44P15T系列P通道增强型MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,在多个应用领域表现出色。其主要优点包括:
    - 低导通电阻:显著降低功耗和热量产生。
    - 快速响应:提高系统的响应速度和效率。
    - 易于安装:简化了电路设计和组装过程。
    - 广泛的应用范围:适用于高侧开关、推挽放大器等多种场合。
    综合以上分析,推荐IXTA44P15T、IXTP44P15T、IXTQ44P15T和IXTH44P15T系列MOSFET在需要高效、可靠的功率转换和控制的应用中使用。IXYS公司提供的全方位技术支持和优质的客户服务使得这一系列产品在市场上具备很高的竞争力。

IXTA44P15T参数

参数
Id-连续漏极电流 44A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13.4nF@25V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 22A,10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 298W(Tc)
配置 -
栅极电荷 175nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 150V
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA44P15T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA44P15T数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA44P15T IXTA44P15T数据手册

IXTA44P15T封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 7.613 ¥ 64.3298
10+ $ 6.083 ¥ 51.4014
50+ $ 4.32 ¥ 36.504
100+ $ 3.996 ¥ 33.7662
500+ $ 3.4125 ¥ 28.8356
库存: 804
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 64.32
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336