处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTY26P10T

IXTY26P10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 150W(Tc) 15V 4.5V@ 250µA 52nC@ 10 V 1个P沟道 100V 90mΩ@ 13A,10V 26A 3.82nF@25V TO-252AA 贴片安装 6.22mm*6.73mm*2.38mm
供应商型号: 747-IXTY26P10T
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTY26P10T

IXTY26P10T概述

    电子元器件技术手册:IXYS IXTY26P10T IXTA26P10T IXTP26P10T P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    IXYS Corporation推出的IXTY26P10T、IXTA26P10T 和 IXTP26P10T 是一系列高性能的P沟道增强模式功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些MOSFET主要用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器和其他高压电源转换应用中。它们具有高功率密度、低导通电阻(RDS(on))和快速瞬态响应等特性,使其成为许多电子应用中的理想选择。

    技术参数


    以下是这些P沟道增强模式功率MOSFET的关键技术参数:
    | 参数 | 值 |

    | 最大耐压(VDSS) | -100V |
    | 最大持续栅极电压(VGSS)| +15V |
    | 最大脉冲栅极电压(VGSM)| +25V |
    | 最大连续漏极电流(ID25)| -26A |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM)| -80A(脉冲宽度受限于TJM) |
    | 最大功耗(PD) | 150W |
    | 最大结温(TJ) | -55°C 至 +150°C |
    | 最大存储温度(Tstg) | -55°C 至 +150°C |
    | 最大焊接引脚温度(TL) | 300°C |
    | 低导通电阻(RDS(on)) | ≤ 90mΩ |
    | 输入电容(Ciss) | 3820pF |
    | 输出电容(Coss) | 280pF |
    | 反馈电容(Crss) | 93pF |

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供TO-220、TO-252和TO-263等多种标准封装,方便集成。
    - 雪崩额定值:具备雪崩击穿能力,确保在极端条件下的可靠运行。
    - 扩展的FBSOA:能够承受高功率密度的应用需求。
    - 快速固有二极管:具有快速恢复特性,适用于高频开关应用。
    - 低导通电阻和栅极电荷:低导通电阻和低栅极电荷有助于减少损耗,提高效率。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET在高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、电流调节器和电池充电器等应用中表现出色。对于需要高可靠性、高效率的应用,建议使用这些MOSFET。同时,根据不同的应用环境,可以选择合适的封装形式以优化散热效果。

    兼容性和支持


    这些MOSFET可与其他电子元件兼容,并且在标准焊接工艺中具有良好的兼容性。IXYS公司为这些产品提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用这些产品的性能优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装MOSFET?
    - 解决方案:遵循制造商的推荐安装扭矩(例如,TO-220 封装为1.13 Nm/lb.in),并确保所有引脚牢固连接。
    2. 问题:如何避免过热?
    - 解决方案:使用适当的散热器或冷却系统,并确保符合推荐的工作温度范围。
    3. 问题:如何测量导通电阻?
    - 解决方案:使用适当的仪表(如万用表)在规定的工作条件下进行测量。

    总结和推荐


    总体而言,IXYS的IXTY26P10T、IXTA26P10T 和 IXTP26P10T是优秀的P沟道增强模式功率MOSFET,具备低导通电阻、快速响应时间、高可靠性和高效率等特点。适用于多种高压电源转换应用。推荐用户在选择适合的应用时参考上述技术参数和建议,以获得最佳的性能和可靠性。

IXTY26P10T参数

参数
栅极电荷 52nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 26A
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 150W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 13A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.82nF@25V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
长*宽*高 6.22mm*6.73mm*2.38mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTY26P10T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTY26P10T数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTY26P10T IXTY26P10T数据手册

IXTY26P10T封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 5.152 ¥ 43.5344
70+ $ 2.3652 ¥ 19.9859
280+ $ 2.3544 ¥ 19.8947
库存: 4013
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 43.53
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336