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IXTU01N100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 25W(Tc) 20V 4.5V@ 25µA 6.9nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 80Ω@ 100mA,10V 100mA 54pF@25V TO-251AA 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTU01N100
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTU01N100

IXTU01N100概述

    高压功率MOSFET技术手册:IXTU01N100 和 IXTY01N100
    本文档将详细介绍IXYS公司生产的IXTU01N100和IXTY01N100高压功率MOSFET的技术手册内容。这些产品属于国际标准封装,是N沟道增强模式的高性能器件,适用于多种高压应用场合。

    1. 产品简介


    IXTU01N100和IXTY01N100是IXYS公司设计制造的高电压功率MOSFET,型号分别为IXTU01N100和IXTY01N100。它们具有额定电压高达1000V(VDSS)的特性,最大电流为100mA(ID25),并且具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 80Ω)。这些MOSFET特别适合应用于需要高电压、高速开关以及紧凑空间的应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最大值 | 典型值 | 单位 |
    ||
    | VDSS(漏源击穿电压) | 1000 | - | V |
    | VGS(栅极-源极电压) | ±20 | - | V |
    | ID(漏极电流) | 100 | - | mA |
    | IDM(峰值漏极电流) | 400 | - | mA |
    | PD(耗散功率) | 25 | - | W |
    | TJ(结温) | -55...+150 | - | °C |
    | Tstg(存储温度范围) | -55...+150 | - | °C |
    | RDS(on)(导通电阻) | 60 | 80 | Ω |

    3. 产品特点和优势


    - 国际标准封装:支持广泛的封装类型,方便集成。
    - 快速开关时间:具备优秀的开关特性,可以实现高效能转换。
    - 雪崩耐受能力:能够承受瞬态过电压的冲击。
    - 高密度功率输出:适用于需要紧凑设计的高功率应用。
    - 坚固的多晶硅栅极单元结构:提高了耐用性并减少了栅极氧化层失效的风险。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换:在电源模块中作为开关器件使用。
    - 电机控制:用于电动机驱动电路中调节电流。
    - 照明系统:在LED驱动电路中提供高效的电压调整。
    使用建议:由于这些MOSFET具有很高的峰值电流能力,应确保在瞬态过电压情况下正确使用保护措施,如增加栅极电阻或采用专用的保护电路。

    5. 兼容性和支持


    IXTU01N100和IXTY01N100均支持标准的SMT贴装工艺,可与其他常见的高压电子元件轻松配对使用。IXYS公司提供详尽的技术支持和保修服务,确保客户在使用过程中得到全方位的支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定正确的栅极电阻值?
    - 解答:通过计算所需的栅极电荷Qg,并结合MOSFET的输入电容Ciss来选择合适的栅极电阻,以确保快速开关且不损坏器件。

    - 问题:如何避免热失控现象?
    - 解答:确保安装良好的散热措施,并在电路设计时考虑适当的冷却方案。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IXTU01N100和IXTY01N100是具备高可靠性、优良性能的高压功率MOSFET,适用于各种工业及商业应用场合。对于需要在高压环境下工作的应用,尤其是要求快速开关速度和高效能转换的应用,这些器件提供了优异的选择。推荐用户根据具体应用场景选择合适的产品,并严格按照技术手册中的指导进行安装和测试。
    以上就是IXTU01N100和IXTY01N100高压功率MOSFET的技术手册概述,希望能帮助您更好地理解和使用这些产品。

IXTU01N100参数

参数
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 25W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 80Ω@ 100mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 54pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 25µA
栅极电荷 6.9nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 100mA
通用封装 TO-251AA
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTU01N100厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTU01N100数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTU01N100 IXTU01N100数据手册

IXTU01N100封装设计

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