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IXTA02N250HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 83W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 7.4nC@ 10 V 1个N沟道 2.5KV 450Ω@ 50mA,10V 200mA 116pF@25V TO-263AA 贴片安装
供应商型号: 747-IXTA02N250HV
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA02N250HV

IXTA02N250HV概述

    高压功率MOSFET:IXTA02N250HV

    产品简介


    IXTA02N250HV是一款由IXYS公司生产的高压N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode)。这款电子元器件主要用于高电压电源供应、电容放电及脉冲电路等领域。它的设计旨在提供卓越的性能和可靠性,尤其适用于需要高效能的高压应用场景。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS(漏源击穿电压):2500 V
    - VDGR(栅极反向电压):2500 V
    - VGSS(栅源持续电压):±20 V
    - VGSM(栅源瞬态电压):±30 V
    - ID25(漏极电流@25℃):200 mA
    - IDM(脉冲漏极电流@25℃):600 mA
    - PD(耗散功率@25℃):83 W
    - TJ(结温范围):-55 ... +150 ℃
    - TJM(结温最高值):150 ℃
    - Tstg(存储温度范围):-55 ... +150 ℃
    - TL(引脚温度,塑料封装,10秒):300 ℃
    - TSOLD(塑封体温度,10秒):260 ℃
    - FC(安装力):11...65 / 25...14.6 N/lb.
    - 重量:2.5 g
    - 关键特性值:
    - BVDSS(漏源击穿电压):2500 V
    - VGS(th)(阈值电压):2.5...4.5 V
    - IGSS(栅源漏电流):±100 nA
    - IDSS(漏极饱和电流):5 μA (TJ = 125°C时为500 μA)
    - RDS(on)(导通电阻):≤450Ω
    - gfs(跨导):88...145 mS
    - Ciss(输入电容):116 pF
    - Coss(输出电容):8 pF
    - Crss(反相电容):3 pF
    - td(on)(开启延迟时间):19 ns
    - tr(上升时间):19 ns
    - td(off)(关断延迟时间):32 ns
    - tf(下降时间):33 ns
    - Qg(on)(总栅极电荷):7.4 nC
    - Qgd(门极驱动电荷):5.3 nC
    - RthJC(结壳热阻):1.5 °C/W

    产品特点和优势


    - 高压包:能够承受高达2500V的电压,适用于高电压应用。
    - 高阻断电压:能够提供更高的电压阻断能力。
    - 快速本征二极管:具有快速的反向恢复特性。
    - 低封装电感:有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 易于安装:安装方便,节省空间。

    应用案例和使用建议


    IXTA02N250HV广泛应用于高压电源供应、电容放电及脉冲电路等场合。例如,在高电压电源供应系统中,它能够有效降低系统的能耗并提高整体效率。此外,由于其快速的本征二极管特性,它特别适合用于需要快速开关的应用。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意控制功耗以避免过热。
    - 使用时应确保合理的散热设计,尤其是在连续高功率运行的情况下。
    - 建议在设计时考虑外部栅极电阻(如100Ω)来优化开关速度和降低电磁干扰。

    兼容性和支持


    IXTA02N250HV采用了标准的TO-263AB封装,符合行业标准,易于与其他电子元器件兼容。IXYS公司提供了详尽的技术支持文档和在线资源,帮助用户更好地理解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的外部栅极电阻?
    - 解答:通常推荐使用100Ω左右的外部栅极电阻来平衡开关速度和EMI(电磁干扰)。

    - 问题2:长时间在高温下工作会导致什么问题?
    - 解答:应注意监控结温和壳温,合理设计散热方案,避免超过规定的最大温度限制。

    总结和推荐


    总体来看,IXTA02N250HV具备出色的高压处理能力和低封装电感的优势,非常适合于高电压应用场景。尽管价格较高,但其卓越的性能和可靠性使其成为众多高端应用的理想选择。如果您正在寻找一款性能强大且可靠的产品,IXTA02N250HV无疑是值得考虑的选项。
    综上所述,强烈推荐IXTA02N250HV作为高压应用场景中的核心元器件。

IXTA02N250HV参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 116pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 2.5KV
栅极电荷 7.4nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 200mA
Rds(On)-漏源导通电阻 450Ω@ 50mA,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
通道数量 1
最大功率耗散 83W(Tc)
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA02N250HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA02N250HV数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA02N250HV IXTA02N250HV数据手册

IXTA02N250HV封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 13.432 ¥ 113.5004
10+ $ 11.2752 ¥ 95.2754
50+ $ 8.856 ¥ 74.8332
100+ $ 8.5536 ¥ 72.2779
1000+ $ 7.4235 ¥ 62.7286
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