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IXFT80N65X2HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 890W(Tc) 30V 5V@4mA 140nC@ 10 V 1个N沟道 650V 80A 8.3nF@25V TO-268HV 贴片安装
供应商型号: ZT-IXFT80N65X2HV
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFT80N65X2HV

IXFT80N65X2HV概述

    X2-Class HiPerFET™ Power MOSFET IXFT80N65X2HV

    1. 产品简介


    X2-Class HiPerFET™ 是一款由IXYS Corporation生产的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种MOSFET主要用于高电压和高频应用,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力。它的主要功能包括高电压封装、快速固有二极管、低封装电感等。这些特性使其非常适合用于多种电力电子应用,如开关电源、DC-DC转换器、PFC电路、AC和DC电机驱动以及机器人和伺服控制等领域。

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册提取的主要技术参数:
    - 基本参数:
    - VDSS(耐压):650V
    - ID25(最大连续漏极电流):80A
    - RDS(on)(导通电阻):≤38mΩ

    - 最大额定值:
    - VDSS(最大耐压):650V
    - VDGR(栅源电压耐压):650V
    - VGSS(连续栅源电压):±30V
    - VGSM(瞬态栅源电压):±40V

    - 热参数:
    - TJ(结温范围):-55°C 至 +150°C
    - TJM(最高结温):+150°C
    - Tstg(存储温度范围):-55°C 至 +150°C
    - TL(焊接最大引线温度):300°C
    - TSOLD(焊点温度):260°C(1.6mm引线距离)
    - 其他特性:
    - 输入电容:Ciss=8300pF
    - 输出电容:Coss=5010pF
    - 反向传输电容:Crss=1.6pF
    - 开关时间:td(on)=32ns,tr=24ns,td(off)=70ns,tf=11ns
    - 有效输出电容:Co(er)=280pF,Co(tr)=1160pF
    - 门级充电:Qg(on)=140nC,Qgs=50nC,Qgd=40nC
    - 热阻:RthJC=0.14°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度:适用于需要高电流和高电压的应用。
    - 易于安装:简化安装过程,降低装配复杂度。
    - 空间节省:紧凑设计,有助于减少电路板占用的空间。
    - 低导通电阻和栅极电荷:优秀的性能参数,确保高效能运行。
    - 抗雪崩能力:能够承受高压脉冲,保证安全操作。
    - 低封装电感:降低电磁干扰,提高系统稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源和谐振模式电源:用于高效能的电力转换和稳压,如工业控制设备和通信设备中的电源模块。
    - DC-DC转换器:在电信和计算机系统中广泛使用,为不同电压需求的组件提供稳定电源。
    - 功率因数校正电路(PFC):改善输入功率质量,减小谐波失真。
    - 交流和直流电机驱动:实现精确的速度和扭矩控制。
    - 机器人和伺服控制:支持高精度定位和运动控制。
    使用建议:
    - 确保电源电压不超过最大额定值,以避免损坏。
    - 良好的散热设计是必要的,特别是在高电流应用中,以避免过热。
    - 使用合适的栅极驱动电路,确保快速开关,减少能量损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IXFT80N65X2HV可与各种标准接口兼容,适用于多种电路设计。
    - 支持和服务:IXYS提供详细的技术文档和客户支持,帮助用户进行正确选择和使用。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:栅极电容过高导致驱动困难怎么办?
    - A:增加驱动电阻以降低栅极电压上升速度,或者使用专门的驱动芯片。

    - Q:器件温度过高如何解决?
    - A:改进散热设计,使用散热片或散热器,并确保良好的气流。

    7. 总结和推荐


    总体来看,IXFT80N65X2HV是一款具备卓越性能的功率MOSFET,特别适合于需要高功率密度、高效能和紧凑设计的应用。其广泛的适用性和出色的表现使其在市场上具有很高的竞争力。我们强烈推荐此产品用于需要高性能和可靠性的场合。

IXFT80N65X2HV参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.3nF@25V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 80A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@4mA
配置 -
栅极电荷 140nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 890W(Tc)
通用封装 TO-268HV
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFT80N65X2HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFT80N65X2HV数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFT80N65X2HV IXFT80N65X2HV数据手册

IXFT80N65X2HV封装设计

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