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IXTP76P10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 298W(Tc) 15V 4V@ 250µA 197nC@ 10 V 1个P沟道 100V 25mΩ@ 38A,10V 76A 13.7nF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: IXTP76P10T
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP76P10T

IXTP76P10T概述

    IXYS P-Channel Power MOSFET 产品技术手册

    产品简介


    IXYS Corporation生产的IXTT76P10THV、IXTA76P10T、IXTP76P10T和IXTH76P10T是系列P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具备耐雪崩性能和扩展的安全工作区(FBSOA)。这些产品主要用于高压电力转换应用,如高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、电流调节器及电池充电应用。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):-100V
    - 栅源电压(VGS):连续 ±15V;瞬态 ±25V
    - 漏极电流(ID):-76A
    - 脉冲漏极电流(IDM):-230A
    - 正向安全工作电流(IA):-38A
    - 耗散功率(PD):298W
    - 结温(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 引脚温度(TLM):+150°C
    - 储存温度(TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 焊接温度(TL):300°C
    - 引脚温度(TSOLD):260°C
    - 典型参数:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):≤ 25mΩ(VGS = -10V,ID = 0.5•ID25
    - 跨导(gfs):35至58S(VD = -10V,ID = 0.5•ID25
    - 输入电容(Ciss):13.7nF
    - 反向传输电容(Crss):275pF
    - 输出电容(Coss):890pF
    - 栅电荷(QG):197nC
    - 热阻(RthJC):0.42°C/W
    - 热阻(RthCS):TO-220:0.50°C/W;TO-247:0.21°C/W

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:支持多种封装形式(TO-268HV、TO-263、TO-220、TO-247),易于安装。
    - 耐雪崩性能:可在高功率应用中提供可靠的过压保护。
    - 扩展的安全工作区:确保长期稳定运行。
    - 快速本征二极管:具有较低的正向电压降和较短的恢复时间。
    - 低RDS(on)和QG:实现高效的电源转换和较低的开关损耗。

    应用案例和使用建议


    这些P沟道功率MOSFET广泛应用于以下场景:
    - 高侧开关:适用于需要高可靠性开关的应用。
    - 推挽放大器:在音频功放和其他需要高效率功率转换的应用中表现出色。
    - 自动测试设备:可用于需要频繁开关的应用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要特别注意散热管理,确保结温在安全范围内。
    - 选择合适的封装以适应不同的安装需求。
    - 考虑外部栅极电阻,以优化开关时间和减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    这些产品与常见的电路设计标准兼容,并且IXYS公司提供详细的技术文档和客户支持服务,确保用户能够顺利使用并维护产品。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何正确安装这些MOSFET?
    - A:参照制造商提供的安装指南,使用适当的扭矩安装螺钉固定在散热器上。

    - Q:如何避免过热?
    - A:保持良好的散热管理,必要时使用外部散热器。

    总结和推荐


    IXYS P-Channel Power MOSFET系列在高压电力转换应用中表现出色,特别是在需要高可靠性和高效率的场景中。其独特的特点和强大的技术支持使其成为市场上非常有竞争力的产品。我们强烈推荐使用此系列产品。

IXTP76P10T参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 76A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13.7nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 38A,10V
栅极电荷 197nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 298W(Tc)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 15V
配置 独立式
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP76P10T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP76P10T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP76P10T IXTP76P10T数据手册

IXTP76P10T封装设计

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300+ ¥ 22.9591
450+ ¥ 22.5454
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