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IXTH2N150L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 290W(Tc) 30V 8.5V@ 250µA 72nC@ 20 V 1个N沟道 1.5KV 15Ω@ 1A,20V 2A 1.47nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: IXTH2N150L
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH2N150L

IXTH2N150L概述

    电子元器件产品技术手册:IXTH2N150L 线性功率 MOSFET

    产品简介


    IXTH2N150L 是一款由 IXYS Corporation 设计和制造的 N 沟道增强型 MOSFET。它具有高电压、大电流和高功率密度的特点,广泛应用于直流斩波器、直流-直流转换器、电池充电器、编程负载、电流调节器和温度及照明控制等领域。该产品符合国际标准封装,提供易于安装的优势,且在极端工作环境下仍能保持可靠性能。

    技术参数


    以下是 IXTH2N150L 的关键技术和性能参数:
    - 最大耐压 (VDSS):1500 V(TJ = 25°C 至 150°C)
    - 栅极电压 (VGSS):
    - 连续:±30 V
    - 瞬态:±40 V
    - 漏极电流 (ID):
    - 在 25°C 时为 2 A
    - 在 25°C 下脉冲宽度受限于 TJM 时为 6 A
    - 功耗 (PD):290 W(25°C 时)
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 +150°C
    - 最高引线焊接温度 (TL):300°C
    - 塑封体最高温度 (TSOLD):260°C(持续 10 秒)
    - 安装扭矩 (Md):1.13 / 10 Nm/lb.in
    - 重量:6 g

    产品特点和优势


    - 适用于线性操作:适合在不同应用场景中进行线性操作。
    - 国际标准封装:提供易于安装的特性。
    - 雪崩击穿额定值:确保在过电压情况下依然稳定运行。
    - FBSOA 额定值保证:在 75°C 条件下具有可靠的 FBSOA 额定值。

    应用案例和使用建议


    IXTH2N150L 广泛应用于多种场景,例如:
    - 直流斩波器:用于调整直流电源输出的稳定性和效率。
    - 直流-直流转换器:实现不同电压等级之间的高效转换。
    - 电池充电器:确保电池在充电过程中能够安全高效地充电。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保 IXTH2N150L 的漏极电流和电压不超过其最大额定值。
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施以避免过热损坏。
    - 在脉冲操作时,确保脉冲宽度和频率符合产品手册中的规定。

    兼容性和支持


    IXTH2N150L 符合行业标准封装,易于与其他电子元器件兼容。IXYS Corporation 提供详尽的技术支持文档和在线资源,帮助客户解决安装和使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装 IXTH2N150L?
    - 解决办法:遵循手册中的安装指南,确保使用正确的安装扭矩并注意引脚连接的顺序。
    2. 问题:如何处理过温情况?
    - 解决办法:确保电路中有有效的散热措施,如散热片或强制风冷系统,以防止器件过热。

    总结和推荐


    综上所述,IXTH2N150L 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种工业和消费电子产品。其高可靠性、广泛的适用性和易于安装的特性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐 IXTH2N150L 用于需要高电压和大电流的应用场合。
    如果您正在寻找一款可靠的、性能卓越的 MOSFET,IXTH2N150L 将是一个理想的选择。

IXTH2N150L参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.47nF@25V
最大功率耗散 290W(Tc)
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 72nC@ 20 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 8.5V@ 250µA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15Ω@ 1A,20V
Vds-漏源极击穿电压 1.5KV
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH2N150L厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH2N150L数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH2N150L IXTH2N150L数据手册

IXTH2N150L封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 84.5415
600+ ¥ 81.6009
900+ ¥ 80.1306
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