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IXFK32N100Q3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Q3-Class系列, Vds=1000 V, 32 A, TO-264封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: M-IXFK32N100Q3
供应商: Future
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK32N100Q3

IXFK32N100Q3概述


    产品简介


    IXFK32N100Q3 和 IXFX32N100Q3 是由 IXYS 公司设计制造的高性能 N-Channel 增强型功率 MOSFET(场效应晶体管),具有高击穿电压(1000V)和低导通电阻(≤ 320mΩ)。这些器件广泛应用于各种电力转换系统中,如 DC-DC 转换器、电池充电器、开关模式电源、直流斩波器及温度和照明控制等场合。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 击穿电压(VDSS):1000V(-55...+150°C)
    - 栅极源电压(VGSS):连续±30V,瞬态±40V
    - 最大连续漏极电流(ID25):32A(TC = 25°C)
    - 最大峰值漏极电流(IDM):96A(TC = 25°C)
    - 最大功耗(PD):1250W(TC = 25°C)
    - 结温范围(TJ):-55...+150°C
    - 最大壳温(TSTG):-55...+150°C
    - 特征值
    - 饱和漏极-源极电压(BVDSS):1000V
    - 栅极开启电压(VGS(th)):3.5 - 6.5V
    - 漏极-源极饱和电流(IDSS):50μA
    - 导通电阻(RDS(on)):≤ 320mΩ
    - 输入电容(Ciss):10990pF
    - 反向恢复时间(trr):≤ 300ns
    - 门输入电阻(RGi):0.20Ω

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:适用于多种工业标准接口。
    - 低栅极电阻:减少栅极驱动损耗。
    - 雪崩耐受能力:提高可靠性。
    - 低封装电感:减少寄生效应。
    - 快速本征整流器:改善开关性能。
    - 低导通电阻和门电荷:降低功耗,提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC-DC 转换器:这类应用要求高效的功率转换,IXFK32N100Q3 的高击穿电压和低导通电阻使其成为理想选择。
    - 电池充电器:需要长时间稳定输出的大功率应用,这些器件的高效能确保稳定充电。
    使用建议
    - 热管理:由于这些器件具有较高的功耗,务必采用有效的散热措施,如加装散热片或使用散热风扇。
    - 驱动电路设计:为了减少栅极振荡和提高开关速度,建议使用合适的门驱动电路和滤波元件。

    兼容性和支持


    - 封装类型:TO-264 和 PLUS247 封装提供了不同的安装选项。
    - 厂商支持:IXYS 提供详细的技术文档和支持,帮助用户进行设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:开关频率过快导致功耗增加。
    - 解决方案:调整门驱动电阻,减小开关速度以降低功耗。

    - 问题2:器件发热严重。
    - 解决方案:加强散热措施,如使用更大尺寸的散热片或外部冷却系统。

    总结和推荐


    IXFK32N100Q3 和 IXFX32N100Q3 是高性能 N-Channel 增强型功率 MOSFET,以其高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性,特别适合于高效率电力转换应用。经过详细分析,这些器件在设计和使用中具有显著的优势,能够有效提高系统的可靠性和效率。综上所述,强烈推荐在需要高效率、高可靠性的应用中使用这些器件。

IXFK32N100Q3参数

参数
最大功率耗散 1.25KW(Tc)
Id-连续漏极电流 32A
Rds(On)-漏源导通电阻 320mΩ@ 16A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.94nF@25V
配置 独立式
栅极电荷 195nC@ 10 V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@8mA
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Vgs-栅源极电压 30V
长*宽*高 19.96mm(长度)*26.16mm(高度)
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK32N100Q3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK32N100Q3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK32N100Q3 IXFK32N100Q3数据手册

IXFK32N100Q3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 35.6608 ¥ 301.3338
4+ $ 34.584 ¥ 292.2348
15+ $ 34.166 ¥ 288.7027
40+ $ 33.858 ¥ 286.1001
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