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IXFQ50N60X

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 660W(Tc) 30V 4.5V@4mA 116nC@ 10 V 1个N沟道 600V 73mΩ@ 25A,10V 50A 4.66nF@25V TO-3P 通孔安装
供应商型号: IXFQ50N60X
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFQ50N60X

IXFQ50N60X概述

    X-Class HiPerFETTM Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    X-Class HiPerFETTM 是一款高性能功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为IXFT50N60X、IXFQ50N60X 和 IXFH50N60X。这些MOSFET 设备以其低导通电阻和快速开关特性而闻名,在开关电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路以及电机驱动器等领域有着广泛的应用。

    技术参数


    - 电气特性
    - 最大漏源电压 (VDSS): 600 V
    - 最大栅极脉冲电流 (IGSS): ±100 nA
    - 漏极持续电流 (ID25): 50 A (25°C)
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 2 J (25°C)
    - 最大耗散功率 (PD): 660 W (25°C)

    - 热特性
    - 结温范围 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 最大结温 (TJM): 150°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 焊接时的最大引脚温度 (TL): 300°C

    - 物理特性
    - 引脚布局:采用国际标准封装,适用于 TO-247、TO-3P 和 TO-268 封装形式
    - 重量:TO-268 4.0 g,TO-3P 5.5 g,TO-247 6.0 g

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)): 73 mΩ,保证高效率运行。
    2. 快速开关性能: 低栅极输入电阻 (RGi) 仅为 1.1 Ω,使设备可以快速切换,减少开关损耗。
    3. 集成保护: 雪崩额定值和内置快速体二极管。
    4. 高可靠性: 适合极端环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源: 这些 MOSFET 在设计高效能开关电源时非常有用。为了进一步提高效率,可以考虑降低外部栅极电阻以加速开关过程。
    - 直流-直流转换器: 高速开关能力使得这些 MOSFET 成为提高转换器效率的理想选择。
    - 电机驱动器: 其低导通电阻有助于减少能耗,从而延长电池寿命或提高系统的整体能效。
    使用建议:
    - 保持良好的散热设计以避免过热。
    - 使用适当的驱动电路以确保正确地开关 MOSFET。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 支持标准的 TO-247、TO-3P 和 TO-268 封装,易于安装在各种 PCB 板上。厂商提供详尽的技术文档和支持,确保用户能够有效地集成这些设备到他们的设计中。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 开关过程中发热过高。
    - 解决方法: 确保使用足够的散热措施,如增加散热片或改善空气流动。
    - 问题 2: 高频驱动不稳定。
    - 解决方法: 适当调整外部栅极电阻,以确保稳定的高频操作。

    总结和推荐


    综上所述,X-Class HiPerFETTM 功率 MOSFET 是一款极具竞争力的产品,具备高功率密度、易安装、空间节省等特点,适用于多种关键应用领域。其高效率和快速开关性能使其成为许多工程项目的理想选择。强烈推荐在需要高可靠性和高性能的应用中使用这些 MOSFET。

IXFQ50N60X参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@ 25A,10V
Id-连续漏极电流 50A
最大功率耗散 660W(Tc)
栅极电荷 116nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.66nF@25V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFQ50N60X厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFQ50N60X数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFQ50N60X IXFQ50N60X数据手册

IXFQ50N60X封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 72.6843
900+ ¥ 70.1561
1350+ ¥ 68.892
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