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IXFP4N85X

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 150W(Tc) 30V 5.5V@ 250µA 7nC@ 10 V 1个N沟道 850V 2.5Ω@ 2A,10V 3.5A 247pF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: IXFP4N85X
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFP4N85X

IXFP4N85X概述

    X-Class HiPERFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    1. 产品简介


    X-Class HiPERFET 系列是由IXYS公司开发的一种高性能N通道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该系列的典型型号包括IXFY4N85X、IXFA4N85X和IXFP4N85X。这些产品广泛应用于各种电源管理和控制电路,如开关模式电源、谐振模式电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动、机器人及伺服控制系统等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS):850V
    - 漏极电流 (ID):25°C时3.5A,脉冲宽度受限于结温
    - 最大漏极电流 (IDM):25°C时10.0A
    - 导通电阻 (RDS(on)):10V栅源电压下,2A漏极电流时 ≤ 2.5Ω
    - 栅源击穿电压 (VGS(th)):3.0~5.5V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±30V栅源电压下,栅源电压为0V时 ±100nA
    - 热阻 (RthJC):0.83°C/W (至芯片结)
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C ~ +150°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C ~ +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度:允许在紧凑空间内实现高效的功率处理。
    - 低导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷 (QG):有助于减少损耗,提高能效。
    - 低封装电感:减小开关过程中的振铃效应,提高可靠性。
    - 雪崩额定值:能够承受较大的瞬态电流。
    - 易于安装:降低制造成本,提升生产效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关模式电源:适用于需要高效能量转换的应用,如通信设备和服务器电源。
    - 直流-直流转换器:在工业自动化系统中提供稳定的电源输出。
    - PFC电路:用于改善输入功率因数,减少谐波失真。
    - 电机驱动:适合各种工业和家电应用中的电机控制。
    使用建议:
    - 在设计应用电路时,确保散热措施得当,以避免过热导致的损坏。
    - 根据具体应用选择合适的型号,例如IXFY4N85X(TO-252封装)适合小型应用,而IXFP4N85X(TO-220封装)适合更大功率的需求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准功率封装兼容,便于替换和集成。
    - 支持:IXYS提供详尽的技术文档、应用指南和支持服务,确保客户可以轻松使用这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅源电压可能导致栅极损坏。
    - 解决方案:在电路设计中增加保护二极管,确保栅源电压不超过额定值。
    - 问题2:过大的漏极电流可能导致过热。
    - 解决方案:设计良好的散热系统,使用合适的热阻匹配的散热片和风扇。

    7. 总结和推荐


    综上所述,X-Class HiPERFET系列MOSFET凭借其高功率密度、低RDS(on)和QG、易于安装等特性,在多种电源管理和控制应用中表现出色。该系列产品非常适合要求高效、可靠且紧凑的设计,推荐在各类高功率应用中使用。为了获得最佳性能和可靠性,建议在设计和使用过程中遵循制造商提供的指导和规范。

IXFP4N85X参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 247pF@25V
配置 -
栅极电荷 7nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 850V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5Ω@ 2A,10V
Id-连续漏极电流 3.5A
最大功率耗散 150W(Tc)
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFP4N85X厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFP4N85X数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFP4N85X IXFP4N85X数据手册

IXFP4N85X封装设计

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