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IXFH20N85X

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 2W 30V 2.35V@ 25uA 10nC@ 4.5V 1个N沟道 30V 16.4mΩ@ 9.1A,10V 9.1A;11A 850pF@15V TO-247 通孔安装
供应商型号: IXFH20N85X
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH20N85X

IXFH20N85X概述

    电子元器件技术手册解析:IXFP20N85X/IXFH20N85X 功率 MOSFET

    产品简介


    IXFP20N85X 和 IXFH20N85X 是 IXYS 公司推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET。它们具有高击穿电压(850V)、低导通电阻(330mΩ)等特点,适用于多种电源管理和电机驱动应用。

    技术参数


    - 主要电气特性
    - 击穿电压(VDSS):850V
    - 导通电流(ID25):20A @ 25°C
    - 导通电阻(RDS(on)):≤ 330mΩ
    - 最大栅源电压(VGSS):±30V
    - 转移特性(gfs):6~10 S @ VD = 10V, ID = 0.5 ID25
    - 输入电容(Ciss):1660pF @ VGS = 0V, VD = 25V
    - 输出电容(Coss):1730pF @ VGS = 0V, VD = 25V
    - 反向恢复时间(trr):190ns
    - 极限额定值
    - 击穿电压(VDSS):850V @ 25°C ~ 150°C
    - 最大脉冲电流(IDM):50A @ 25°C
    - 瞬态栅极电压(VGSM):±40V
    - 工作环境
    - 工作温度范围(TJ):-55°C ~ +150°C
    - 储存温度范围(TSTG):-55°C ~ +150°C
    - 引脚焊接温度(TL):300°C
    - 额定焊接温度(TSOLD):260°C @ 1.6mm 距离引脚

    产品特点和优势


    - 高功率密度:IXFP20N85X 和 IXFH20N85X 采用先进的 X-Class HiPerFET 技术,能够在较小的封装内实现高性能。
    - 易于安装:紧凑的设计和合理的引脚布局使得安装更为便捷。
    - 节省空间:相比传统产品,这些 MOSFET 能够有效减少占用空间,适合对体积要求严格的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源
    - 谐振模式电源
    - 直流-直流转换器
    - 电机驱动
    - 机器人控制
    - 伺服控制系统
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以避免因过热导致的性能下降。
    - 高频应用场合,考虑 Coss 和 Ciss 的影响,选择合适的栅极电阻以减小开关损耗。

    兼容性和支持


    IXFP20N85X 和 IXFH20N85X 可与市面上常见的高压电源管理系统兼容。厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,确保客户能够充分利用这些产品的优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程发热严重?
    - 解决方法: 优化 PCB 设计,增加散热片面积,合理分配电源模块之间的空间,以提高散热效率。

    - 问题2: 输出电流不稳定?
    - 解决方法: 检查负载和供电系统是否正常,确认是否有外部干扰,适当调整栅极电阻以稳定输出电流。

    总结和推荐


    IXFP20N85X 和 IXFH20N85X 是市场上表现优异的高压功率 MOSFET,具备高可靠性、高效能和低成本的优势,特别适合在严苛的工作环境中应用。无论是开发新的电子产品还是替换现有系统的元件,这些产品都是理想的选择。强烈推荐在需要高性能和可靠性的应用中使用。

IXFH20N85X参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 850pF@15V
最大功率耗散 2W
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 25uA
栅极电荷 10nC@ 4.5V
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 9.1A;11A
Rds(On)-漏源导通电阻 16.4mΩ@ 9.1A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH20N85X厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH20N85X数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH20N85X IXFH20N85X数据手册

IXFH20N85X封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 23.4025
900+ ¥ 22.5885
1350+ ¥ 22.1815
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