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IXTP42N25P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 5.5V@ 250µA 70nC@ 10V 1个N沟道 250V 84mΩ@ 500mA,10V 42A 2.3nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.66mm*4.83mm*16mm
供应商型号: ZT-IXTP42N25P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP42N25P

IXTP42N25P概述


    产品简介


    产品类型: 功率 MOSFET(IXTA 42N25P, IXTP 42N25P, IXTQ 42N25P)
    主要功能:
    - 电压等级: 最高耐压达250V(VDSS)
    - 电流能力: 持续电流达42A(ID25),瞬态峰值电流可达110A(IDM)
    - 低导通电阻: RDS(on) ≤ 84 mΩ(VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25)
    - 封装类型: 支持多种封装(TO-3P, TO-220, TO-263)
    应用领域:
    - 电力转换与控制: 用于开关电源、电机驱动、逆变器等设备
    - 汽车电子: 在汽车引擎控制系统、电动车充电系统中广泛应用
    - 工业控制: 在工业自动化、机器人、机床等领域中作为功率驱动元件

    技术参数


    - 额定电压(VDSS): 250V
    - 连续漏极电流(ID25): 42A(TC = 25°C)
    - 瞬态漏极电流(IDM): 110A(TC = 25°C)
    - 最大漏源电压(VDSS): 250V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V(连续),±30V(瞬态)
    - 导通电阻(RDS(on)): 84 mΩ(VGS = 10V, ID = 0.5 ID25)
    - 热阻(RthJC): 0.42°C/W(TO-3P),0.25°C/W(TO-220)
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 最大工作温度(TJ): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 国际标准封装: 支持多种封装类型,方便在不同应用场景下选择合适的封装形式
    - 无钳位电感切换能力(UIS): 能够承受较高的浪涌电压,适用于高频开关电路
    - 低封装电感: 易于驱动和保护,提高系统的可靠性和效率
    优势:
    - 易于安装: 具有标准化引脚布局,便于快速安装和调试
    - 节省空间: 小巧轻便的设计,适合紧凑型设计的应用场合
    - 高功率密度: 良好的散热设计和低导通电阻,实现高效能输出

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电动汽车(EV)充电系统: IXTA 42N25P 适用于高压直流充电站,作为主控开关。
    - 工业自动化设备: 在工业机器人和数控机床中作为驱动元件,提供精确的控制。
    使用建议:
    - 过温保护: 注意散热设计,避免因过热而导致器件损坏。
    - 驱动电路优化: 配合专用的驱动电路,减少开关损耗,提高效率。
    - 负载匹配: 根据实际负载调整驱动信号,确保最佳工作状态。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 支持多种控制器和驱动电路,例如MCU(微控制器单元)和门极驱动器。
    - 厂商支持: IXYS 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的温度导致器件失效。
    - 解决方案: 加强散热措施,如使用散热片、风扇等冷却设备。
    - 问题: 开关频率过高导致EMI干扰严重。
    - 解决方案: 添加EMI滤波器或使用软开关技术降低噪声。
    - 问题: 频繁的热循环导致疲劳失效。
    - 解决方案: 使用温度补偿电路或热管理系统,保持温度稳定。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点: 高额定电压、大电流承载能力、低导通电阻,封装灵活多样,适用于多种应用场合。
    - 推荐度: 强烈推荐使用。IXTA 42N25P 系列 MOSFET 具有良好的性能和广泛的适用性,是电力转换和控制应用的理想选择。
    通过本文的详细解析,我们可以看到 IXTA 42N25P、IXTP 42N25P 和 IXTQ 42N25P 系列 MOSFET 的强大功能和广泛的应用前景,这些产品的出现无疑为现代电力电子系统的开发提供了强有力的支持。

IXTP42N25P参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 70nC@ 10V
通道数量 1
最大功率耗散 300W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 84mΩ@ 500mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.3nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 250V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 42A
长*宽*高 10.66mm*4.83mm*16mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP42N25P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP42N25P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP42N25P IXTP42N25P数据手册

IXTP42N25P封装设计

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