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IXTA90N055T2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 150W(Tc) 20V 4V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个N沟道 55V 8.4mΩ@ 25A,10V 90A 2.77nF@25V TO-263AA 贴片安装 10.41mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: ZT-IXTA90N055T2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA90N055T2

IXTA90N055T2概述


    产品简介


    IXTY90N055T2、IXTA90N055T2和IXTP90N055T2
    这三款产品是IXYS公司生产的TrenchT2™ N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET(场效应晶体管)。它们具备优异的性能和可靠性,广泛应用于汽车发动机控制、同步降压转换器、DC/DC转换器及高电流开关应用等领域。这些产品适用于笔记本系统电源管理以及分布式电力架构中的各类点负载。此外,它们还适用于电动汽车和其他需要高性能、高效能的电力管理系统。

    技术参数


    - 最大电压 (VDSS):55V
    - 栅极击穿电压 (VGS(th)):2.0 - 4.0V
    - 导通电阻 (RDS(on)):7.0 - 8.4mΩ(典型值)
    - 最大电流 (ID25):90A
    - 快速体二极管击穿电压 (VSD):0.85 - 1.0V
    - 快速体二极管反向恢复时间 (trr):37ns
    - 热阻 (RthJC):1.00°C/W
    - 热阻 (RthCH):TO-220为0.50°C/W
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    1. 国际标准封装:支持TO-252、TO-263和TO-220等多种封装形式。
    2. 高温操作能力:能够在高达175°C的工作温度下稳定运行。
    3. 雪崩耐受性:具有优秀的雪崩耐受性,可在恶劣环境中可靠工作。
    4. 高电流处理能力:能够承受高达230A的脉冲电流,保证高电流应用需求。
    5. 快速内在整流器:内置的快速整流器显著提高了整体效率。
    6. 低导通电阻和栅极电荷:RDS(on)低至8.4mΩ,QG低至42nC,降低了功耗。
    7. 符合RoHS标准:满足环保要求,适用于全球市场。
    8. 高性能沟槽技术:采用了先进的沟槽技术,确保了高性能和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车发动机控制:在汽车发动机控制系统中,这些MOSFET可用于驱动电机或其他关键部件,提供稳定的电力供应。
    - 同步降压转换器:在笔记本电脑电源管理中,它们可以作为高效的降压转换器使用,提高能源利用效率。
    - DC/DC转换器:在需要快速响应和高效能转换的应用中,这些MOSFET能够显著提升转换器的性能。
    - 高电流开关应用:在工业自动化和电源管理等领域,它们能够实现高电流的高效切换。
    使用建议
    - 散热设计:由于这些MOSFET具有较高的电流处理能力和工作温度范围,良好的散热设计至关重要。建议采用高效的散热片或散热风扇来降低工作温度,从而延长使用寿命。
    - 电路布局优化:为了减少寄生电感和电容,建议将驱动线路尽量缩短,并合理布置驱动电路和负载。
    - 保护措施:为了防止过载和短路,建议添加合适的保护电路,如限流电路和过压保护电路。

    兼容性和支持


    这些MOSFET产品支持多种封装形式,包括TO-252、TO-263和TO-220。厂商提供了详尽的技术支持文档,包括设计指南和应用笔记,帮助用户更好地理解和使用这些产品。此外,IXYS公司还提供了保修服务和技术支持热线,以便用户在使用过程中获得及时的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过载时MOSFET烧毁。
    - 解决方法:增加外部保护电路,如熔断器或热敏电阻,以避免过载。

    2. 问题:栅极驱动信号不稳定导致频繁损坏。
    - 解决方法:使用稳定可靠的栅极驱动器,或者通过增加滤波电容来平滑信号。

    3. 问题:长期使用后导通电阻增大。
    - 解决方法:定期检查和更换MOSFET,或者使用更高品质的产品以提高系统的可靠性。

    总结和推荐


    总体而言,IXTY90N055T2、IXTA90N055T2和IXTP90N055T2系列功率MOSFET是高性能的电力管理系统核心组件。它们具有低导通电阻、快速开关时间和卓越的可靠性,特别适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。强烈推荐在需要高电流处理能力和稳定工作环境的电力转换应用中使用这些产品。对于那些寻求高性能和可靠性的工程师来说,这些MOSFET是不可或缺的选择。

IXTA90N055T2参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.77nF@25V
Id-连续漏极电流 90A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.4mΩ@ 25A,10V
栅极电荷 42nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 150W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 55V
通道数量 1
配置 独立式
长*宽*高 10.41mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA90N055T2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA90N055T2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA90N055T2 IXTA90N055T2数据手册

IXTA90N055T2封装设计

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