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IXFH170N10P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Polar系列, Vds=100 V, 170 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IXFH170N10P
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH170N10P

IXFH170N10P概述

    高性能功率MOSFET:IXFH170N10P/IXFK170N10P

    产品简介


    IXFH170N10P 和 IXFK170N10P 是由 IXYS Corporation 设计和制造的高性能 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET。这些器件具有快速本征整流器、雪崩击穿能力,并提供多种标准封装选择。它们特别适用于高密度电源转换应用,如开关模式和共振模式电源、DC-DC 转换器、激光驱动器、AC 和 DC 电机驱动器、机器人及伺服控制。

    技术参数


    - 电压参数:
    - VDSS(漏源击穿电压):100 V
    - VDGR(栅极对引脚击穿电压):100 V
    - VGSS(栅极对源击穿电压):连续 ±20 V,瞬态 ±30 V
    - 电流参数:
    - ID(持续漏极电流):170 A
    - IL(RMS)(外部引脚电流限制):160 A
    - IDM(脉冲漏极电流):350 A
    - IA(集电极电流):60 A
    - 电气特性:
    - RDS(on)(导通电阻):≤ 9 mΩ(VGS=10V时),≤ 7 mΩ(VGS=15V时)
    - trr(恢复时间):≤ 150 ns
    - 其他参数:
    - 最大功耗 PD:715 W
    - 工作温度范围 TJ:-55°C 到 +175°C
    - 存储温度范围 Tstg:-55°C 到 +175°C
    - 引脚焊接温度 TSOL:塑料封装体在10秒内可达260°C
    - 最大热阻 RthJC:0.21°C/W(TO-247封装)

    产品特点和优势


    - 高功率密度:适合紧凑型设计,实现空间节约。
    - 易于安装:具备低热阻特性,方便散热管理。
    - 可靠性和耐用性:雪崩击穿能力增强了在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 开关模式和共振模式电源:适用于各种高频转换应用。
    - DC-DC 转换器:适合要求高效能和高稳定性的电源转换。
    - 激光驱动器:适用于需要快速开关和高效率的场合。
    - AC 和 DC 电机驱动器:提供高电流控制能力。
    - 机器人及伺服控制:用于需要精确控制和高速响应的应用。
    - 使用建议:
    - 在高功率应用中,确保良好的散热措施,以避免过热。
    - 在电路设计时,考虑其导通电阻和恢复时间,以优化整体性能。
    - 使用推荐的外部栅极电阻,以优化开关速度并减少损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXFH170N10P/IXFK170N10P 与多种标准封装和电路配置兼容,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持服务:IXYS Corporation 提供详尽的技术文档和支持,包括详细的电气特性和应用指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何降低导通电阻?
    - 解决方法:确保栅极驱动电压足够高,以充分打开 MOSFET 的沟道。

    - 问题2:如何改善高温下的稳定性?
    - 解决方法:采用高效的散热器或散热片,确保器件的温度不超过最大允许值。

    总结和推荐


    IXFH170N10P 和 IXFK170N10P 是高度可靠的高性能功率 MOSFET,具备卓越的性能和广泛的应用潜力。其高功率密度、易于安装和出色的耐久性使其成为众多电力转换应用的理想选择。我们强烈推荐这些器件用于需要高效能和高可靠性的电力应用中。
    通过本文,我们详细介绍了 IXFH170N10P 和 IXFK170N10P 的技术参数、特点、应用案例、使用建议及其兼容性和支持信息,希望能为您的项目选择提供参考。

IXFH170N10P参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 198nC@ 10 V
最大功率耗散 715W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 170A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@4mA
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH170N10P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH170N10P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH170N10P IXFH170N10P数据手册

IXFH170N10P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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600+ ¥ 62.5854
900+ ¥ 61.4577
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