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IXFH40N30Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@4mA 140nC@ 10 V 1个N沟道 300V 80mΩ@ 500mA,10V 40A 3.1nF@25V TO-247AD 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFH40N30Q
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH40N30Q

IXFH40N30Q概述


    产品简介


    产品名称: IXFH40N30Q 和 IXFT40N30Q
    类型: N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型N沟道功率场效应晶体管)
    主要功能: 这款高压MOSFET具备高可靠性、高耐压能力和低导通电阻,适用于需要高效能转换的应用场景。
    应用领域: 主要应用于开关电源、电池充电器、DC-DC转换器、直流斩波器、温度和照明控制等领域。

    技术参数


    - 最大额定电压 (VDSS): 300V
    - 连续漏极电流 (ID25): 40A
    - 导通电阻 (RDS(on)): ≤85mΩ
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V(连续); ±30V(瞬时)
    - 脉冲电流 (IM): 160A(脉冲宽度受限于结温)
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 最大功耗 (PD): 300W(TC = 25°C)
    - 输入电容 (Ciss): 3560pF
    - 输出电容 (Coss): 640pF
    - 反向恢复电容 (Crss): 170pF
    - 栅极电荷 (Qg): 92nC(典型值)

    产品特点和优势


    - 高功率密度: 能够在紧凑的空间内实现高效的能量转换。
    - 易于安装: 国际标准封装设计使其安装过程简便快捷。
    - 低内部栅极电阻: 减少驱动电路中的损耗。
    - 快速内在二极管: 支持高频操作并减少开关损耗。
    - 低RDS(on) 和 QG: 高效率和低能耗,特别适合于大电流应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源: 在高频开关电源中,这款MOSFET能够显著提高电源转换效率。
    - 电池充电器: 在电池充电器中,能够提供可靠的电力管理和保护。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于其高功耗特性,需要确保有效的散热措施以维持长期稳定运行。
    - 驱动电路设计: 建议采用低阻抗的栅极驱动器以减少门极驱动损耗。

    兼容性和支持


    该产品提供TO-247和TO-268两种封装形式,分别适用于不同的安装需求。厂商提供了详尽的技术支持和文档,以帮助用户进行产品选择和应用开发。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何确定正确的驱动电压?
    - 解决方案: 查阅产品手册中的“栅源电压”参数,确保驱动电压不超过最大额定值。
    - 问题: 散热不良会导致哪些问题?
    - 解决方案: 安装散热器或采取其他冷却措施来降低工作温度,避免因过热导致的性能下降或损坏。

    总结和推荐


    综上所述,IXFH40N30Q和IXFT40N30Q凭借其高功率密度、低RDS(on) 和 QG 等特性,在多种应用中表现出色。尤其适合需要高效能转换的应用场景,如开关电源和电池充电器。考虑到其高性能和广泛的应用领域,强烈推荐在相关项目中使用此产品。建议用户在使用过程中注意散热管理及合适的驱动电路设计,以充分发挥其潜力。

IXFH40N30Q参数

参数
Id-连续漏极电流 40A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 500mA,10V
栅极电荷 140nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.1nF@25V
通道数量 -
最大功率耗散 300W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 300V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@4mA
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFH40N30Q厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH40N30Q数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH40N30Q IXFH40N30Q数据手册

IXFH40N30Q封装设计

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