处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFL34N100

IXFL34N100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 550W(Tc) 20V 5V@8mA 380nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 280mΩ@ 30A,10V 30A 9.2nF@25V TO-264-3 通孔安装 20.29mm*5.21mm*26.42mm
供应商型号: ZT-IXFL34N100
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFL34N100

IXFL34N100概述

    ISOPLUS-264TM HiPerFETTM Power MOSFETs 技术手册

    1. 产品简介


    ISOPLUS-264TM HiPerFETTM 是一种高性能的N-沟道增强模式功率MOSFET,专为高功率密度和高效能转换设计。其核心特点包括硅芯片直接铜键合基板、电隔离表面、低栅极至引脚电容、高功率耗散能力和快速本征二极管等。该器件广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源、直流斩波器及交流电机控制等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS: VGS = 0 V, ID = 3 mA时,1000 V
    - VDGR: VGS = ±20 VDC, VDS = 0时,1000 V
    - VGS(cont): 连续,±20 V
    - VGSM: 瞬态,±30 V
    - ID(25 °C): TC = 25°C时,30 A
    - IDM(25 °C): TC = 25°C时,136 A
    - IAR(25 °C): TC = 25°C时,34 A
    - EAR(25 °C): TC = 25°C时,64 mJ
    - EAS(25 °C): TC = 25°C时,4 J
    - dv/dt (Idv/dt S): ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS 时,5 V/ns
    - TJ: -55 ... +150 °C
    - TJM: 150 °C
    - TSTG: -55 ... +150 °C
    - TL: 1.6 mm (0.063 in.) 距离壳体10秒,300 °C
    - VISOL: 50/60 Hz, RMS,t = 1 min 时,2500 V~
    - IISOL: ≤ 1 mA,t = 1 s 时,3000 V~
    - 特征值(TJ = 25°C,除非另有说明)
    - VDSS: VGS = 0 V, ID = 3 mA时,1000 V
    - VGS(th): VDS = VGS, ID = 8 mA时,2.5 V 至 5.0 V
    - IGSS: VGS = ±20 VDC, VDS = 0时,±100 nA
    - IDSS: VDS = VDSS,TJ = 25°C时,100 μA;VGS = 0 V,TJ = 125°C时,2 mA
    - RDS(on): VGS = 10 V, ID = IT时,0.28 Ω

    3. 产品特点和优势


    - 易组装性:简化了装配过程,减少了安装时间。
    - 节省空间:高度集成的设计,有助于减小整体尺寸。
    - 高功率密度:适用于需要高功率转换的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC-DC转换器:适用于高压高效率的转换场合。
    - 电池充电器:提供高效的能量转换,适用于电动汽车及各类便携设备。
    - 开关模式和共振模式电源:适合要求高转换效率和紧凑尺寸的应用。
    - 直流斩波器:用于电力控制领域。
    - 交流电机控制:确保电机运行稳定,提高能效。
    使用建议:确保在安装时考虑散热设计,避免过热现象;在电路设计中合理分配负载电流,以保持器件在安全的工作范围内。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ISOPLUS-264TM 与多种现有电子系统兼容,适用于多种应用场景。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括电路设计指导、故障排除等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高温环境下运行时出现过热。
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇,改善通风条件。

    - 问题2:电路稳定性不佳。
    - 解决方法:确保电源稳定,减小外部干扰,优化电路布局。

    7. 总结和推荐


    ISOPLUS-264TM HiPerFETTM 是一款高性能的N-沟道增强模式功率MOSFET,具有高可靠性、高效能转换的特点。它适用于广泛的工业应用,如直流-直流转换器、电池充电器和开关模式电源等。在设计阶段,应充分考虑其散热需求和工作环境,以确保最佳性能。强烈推荐用于高功率转换场合,因其优秀的性能和稳定性。

IXFL34N100参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ@ 30A,10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.2nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
栅极电荷 380nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 1KV
最大功率耗散 550W(Tc)
长*宽*高 20.29mm*5.21mm*26.42mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFL34N100厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFL34N100数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFL34N100 IXFL34N100数据手册

IXFL34N100封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 70.0358 ¥ 586.9001
库存: 191
起订量: 1 增量: 25
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 586.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0