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IXTA08N100D2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 60W(Tc) 20V 14.6nC@ 5 V 1个N沟道 1KV 21Ω@ 400mA,0V 800mA 325pF@25V TO-263AA 贴片安装
供应商型号: ZT-IXTA08N100D2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA08N100D2

IXTA08N100D2概述


    产品简介


    IXTY08N100D2是一款由IXYS公司生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。作为一款增强型场效应晶体管,它被设计用于多种电力电子应用中,如音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流调节器及主动负载等。由于其特殊的电路结构,IXTY08N100D2能够在正常状态下处于开启状态,即“常开模式”,这使其成为高效率电路设计的理想选择。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极-源极电压(VDSX):1000V(当TJ介于25°C至150°C之间)
    - 栅极-源极电压(VGSX):连续 - ±20V
    - 栅极脉冲电压(VGSM):±30V
    - 功耗(PD):TC = 25°C时为60W;TJ的范围为-55°C到+150°C
    - 最大结温(TJ):150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C到+150°C
    - 最大引脚温度(TL):300°C
    - 焊接引脚温度(TSOLD):距离外壳1.6毫米(0.062英寸),10秒内260°C
    - 安装扭矩(Md):(TO-220)1.13Nm/lb.in.
    - 重量:TO-252为0.35克;TO-263为2.50克;TO-220为3.00克
    - 特性值
    - 漏极-源极击穿电压(BVDSX):当VGS = -5V,ID = 25μA时,BVDSX最小值为1000V
    - 栅极截止电压(VGS(off)):当VDS = 25V,ID = 25μA时,VGS(off)范围为-2.0V到-4.0V
    - 栅极泄漏电流(IGSX):当VGS = ±20V,VDS = 0V时,IGSX为±50nA
    - 漏极截止电流(IDSX(off)):当VDS = VDSX,VGS = -5V时,漏极电流为1μA;TJ = 125°C时,漏极电流为15μA
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = 0V,ID = 400mA时,导通电阻为21Ω
    - 漏极电流(ID(on)):在VGS = 0V,VDS = 50V时,漏极电流大于800mA

    产品特点和优势


    IXTY08N100D2的独特之处在于其常开模式操作、符合国际标准的封装形式,以及通过UL94V-0认证的阻燃封装材料。此外,该产品安装简便、体积小巧,有助于节省空间并提高功率密度,非常适合应用于音频放大器、启动电路等场景。

    应用案例和使用建议


    IXTY08N100D2可广泛应用于各种需要高开关速度和低导通电阻的应用场景,如音频放大器、启动电路和保护电路等。为了确保最佳性能,应根据具体应用调整工作条件,并参考手册中提供的图表进行详细分析。例如,在设计音频放大器时,应注意避免超过器件的最大额定电压,同时合理配置栅极驱动信号以获得理想的转换率和切换频率。

    兼容性和支持


    IXTY08N100D2与多种封装形式(如TO-252、TO-263、TO-220)相兼容,适用于多种不同的电路板布局需求。IXYS公司为该产品提供全面的技术支持,包括详尽的数据手册、应用程序指南和技术文档,帮助用户正确使用并优化其性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:在高温环境下,器件的导通电阻增加。
    - 解决方案:通过外部散热片或强制风冷方式改善热管理,减少器件工作温度,从而保持较低的导通电阻。

    - 问题二:栅极驱动不稳定导致器件无法正常工作。
    - 解决方案:使用稳定的栅极驱动器,并保证驱动信号的波形质量,确保栅极信号能够有效触发器件。

    总结和推荐


    IXTY08N100D2凭借其独特的常开模式操作、紧凑的设计以及高效的电气性能,在众多应用中表现出色。它的易安装性和良好的散热性能使其成为音频放大器和其他高可靠性电力电子应用的理想选择。鉴于其广泛的适用性和优秀的性能表现,我们强烈推荐这款产品给需要高性能N沟道MOSFET的应用开发者和工程师。

IXTA08N100D2参数

参数
Id-连续漏极电流 800mA
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 325pF@25V
栅极电荷 14.6nC@ 5 V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 1KV
配置 独立式
最大功率耗散 60W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 21Ω@ 400mA,0V
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA08N100D2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA08N100D2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA08N100D2 IXTA08N100D2数据手册

IXTA08N100D2封装设计

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