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IXTA3N100P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 125W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 39nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 4.8Ω@ 1.5A,10V 3A 1.1nF@25V TO-263AA 贴片安装 10.41mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: ZT-IXTA3N100P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA3N100P

IXTA3N100P概述


    产品简介


    IXTA3N100P、IXTP3N100P 和 IXTH3N100P 是由IXYS公司生产的N沟道增强型MOSFET功率半导体器件。这些产品广泛应用于开关电源、谐振模式电源、直流-直流转换器、激光驱动器以及交流和直流电机驱动等领域。它们采用国际标准封装,具有低导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(QG),并具有雪崩击穿额定值。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源击穿电压(VDSS): 1000V
    - 漏极电流(ID25@25°C): 3A
    - 导通电阻(RDS(on)@10V, ID=0.5 • ID25): ≤ 4.8Ω
    - 极限参数:
    - 最大漏源击穿电压(VDSS): 1000V
    - 最大栅源电压(VGSM): ±30V(瞬态)
    - 最大漏极电流(IDM@25°C): 6A
    - 额定雪崩能量(EAS@25°C): 200mJ
    - 最大耗散功率(PD@25°C): 125W
    - 工作温度范围(TJ): -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 其他电气参数:
    - 输入电容(Ciss): 1100pF
    - 输出电容(Coss): 70pF
    - 反向传输电容(Crss): 14.5pF
    - 栅极电荷(Qg(on)): 36nC
    - 导通时间(td(on)): 22ns
    - 开启时间(tr): 27ns
    - 关断时间(td(off)): 75ns
    - 关闭时间(tf): 29ns

    产品特点和优势


    - 高功率密度:在有限的空间内提供强大的电力输出。
    - 易于安装:简化了产品的安装过程,减少了安装时间和成本。
    - 节省空间:紧凑的设计有助于减小整体电路尺寸。
    - 低导通电阻和低栅极电荷:提供了高效能的开关操作,降低了功耗。
    - 雪崩击穿额定值:保证了在极端条件下的可靠性和耐用性。
    - 低封装电感:有效减少寄生效应,提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源和谐振模式电源:在高频开关电源中表现出色,可以有效提升电源效率。
    - 直流-直流转换器:适用于需要高效转换的场合,例如电动汽车充电站。
    - 激光驱动器:能够快速响应,提供精确的脉冲控制。
    - 电机驱动:适用于机器人和伺服控制系统,可实现高效、可靠的电机控制。
    使用建议:
    1. 在使用过程中应注意温度管理,确保工作温度不超过最大允许值。
    2. 遵循制造商推荐的焊接温度和时间,以防止损坏。
    3. 使用外部栅极电阻(RG=18Ω)来优化开关性能。

    兼容性和支持


    这些产品与其他标准N沟道增强型MOSFET兼容,可以方便地替换使用。IXYS公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括安装指南、应用手册和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题:安装过程中出现过热问题。
    - 解决办法: 检查焊接温度是否超过规定范围,增加散热片,改善散热设计。
    - 问题:开关速度慢。
    - 解决办法: 适当调整外部栅极电阻(RG)值,优化开关时间。
    - 问题:出现短路现象。
    - 解决办法: 检查接线是否正确,确认连接点是否有松动或腐蚀。

    总结和推荐


    IXTA3N100P、IXTP3N100P 和 IXTH3N100P 具备卓越的性能和可靠性,特别适用于高频开关电源、直流-直流转换器和电机驱动等应用。其高功率密度、易于安装和节省空间的特点使其在市场上具有显著的竞争力。鉴于其广泛的应用范围和优异的表现,强烈推荐使用这些产品。

IXTA3N100P参数

参数
Id-连续漏极电流 3A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 1KV
通道数量 1
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 4.8Ω@ 1.5A,10V
最大功率耗散 125W(Tc)
栅极电荷 39nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10.41mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA3N100P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA3N100P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA3N100P IXTA3N100P数据手册

IXTA3N100P封装设计

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