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VMM90-09F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 20V 5V@30mA 960nC@ 10V 2个N沟道 900V 76mΩ@ 65A,10V 85A Y-3-LI 底座安装 110mm*62mm*28.5mm
供应商型号: ZT-VMM90-09F
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) VMM90-09F

VMM90-09F概述

    VMM 90-09F HiPerFET模块技术手册

    1. 产品简介


    VMM 90-09F是一款高性能、高密度功率转换的HiPerFET模块,采用双电源配置。它专为要求高开关速度和低损耗的应用而设计,主要应用于功率供应、感应加热等领域。该模块集成了先进的MOSFET技术和反向二极管,能够实现高效的能量转换和卓越的热管理。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 耐压(VDSS):900V
    - 最大电流(ID25):85A
    - 导通电阻(RDS(on)):76mΩ
    - 电气特性
    - 开启时间(td(on)):150ns
    - 关断时间(td(off)):330ns
    - 反向恢复时间(trr):250ns
    - 温度特性
    - 工作温度范围(TVJ):-40°C 至 +150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-40°C 至 +125°C
    - 热阻
    - 结温到壳体热阻(RthJC):0.08K/W
    - 结温到散热片热阻(RthJS):0.12K/W

    3. 产品特点和优势


    - HiPerFET技术
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 无钳位感性开关能力(UIS)
    - 快速固有反向二极管
    - 低栅极电荷(Qg)
    - 内部温度传感器
    - NTC温度传感器用于内部温度测量
    - 封装特点
    - 低电感电流路径
    - 螺钉连接至高电流主终端
    - 辅助终端使用非可互换插头
    - 凯文源端子便于驱动
    - 隔离式DCB陶瓷基板

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景
    - 功率供应
    - 感应加热
    - 使用建议
    - 在高密度功率转换系统中,确保良好的散热设计以延长使用寿命。
    - 使用合适的栅极电阻(RG)以控制栅极电压的上升和下降时间,避免过冲和欠冲。
    - 在高温环境下,需关注结温监控,确保不超过最高允许值。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - 该模块可以与具有相同电气特性的其他IXYS HiPerFET模块互换。
    - 支持和维护
    - 厂商提供详细的技术文档和用户手册。
    - 售后服务团队可提供技术支持和故障排除指导。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:检查栅极电压(VGS),确保其不低于阈值电压(VGS(th))。如需要,增加栅极电阻(RG)以改善控制。
    - 问题:温度过高
    - 解决方案:检查散热设计,确保有足够的散热片和适当的散热材料。若温度持续过高,可能需要更换散热片或使用强制风冷系统。
    - 问题:输出电流不稳定
    - 解决方案:检查负载情况和输入电源,确保它们在额定范围内。如需要,调整电路设计以减少电压波动。

    7. 总结和推荐


    VMM 90-09F HiPerFET模块以其出色的性能和可靠性,在高功率密度和高速开关的应用场景中表现出色。其低导通电阻、快速开关能力和优秀的热管理特性使其成为现代电力电子系统中的理想选择。我们强烈推荐使用此产品,尤其是在对性能和可靠性有较高要求的应用中。
    通过合理的设计和适当的维护,VMM 90-09F将为您的应用带来显著的优势。

VMM90-09F参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@ 65A,10V
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 960nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@30mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Id-连续漏极电流 85A
长*宽*高 110mm*62mm*28.5mm
通用封装 Y-3-LI
安装方式 底座安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 盒装,散装

VMM90-09F厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

VMM90-09F数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS VMM90-09F VMM90-09F数据手册

VMM90-09F封装设计

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