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IXTP05N100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 40W(Tc) 30V 4.5V@ 250µA 7.8nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 17Ω@ 375mA,10V 750mA 260pF@25V TO-220-3 通孔安装 10.41mm*4.83mm*16mm
供应商型号: ZT-IXTP05N100
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP05N100

IXTP05N100概述

    # 高压N通道增强模式功率MOSFET IXTA05N100HV/IXTA05N100/IXTP05N100技术手册

    产品简介


    产品类型
    IXTA05N100HV、IXTA05N100和IXTP05N100是IXYS公司生产的高压N通道增强模式功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些产品设计用于高电压和高功率应用场合。
    主要功能
    这些MOSFET具有高耐压能力(VDSS = 1000V),能够处理高电流(ID = 750mA)和提供较低的导通电阻(RDS(on) ≤ 17Ω)。它们还具有快速开关特性,适用于高效率电源转换和逆变器电路。
    应用领域
    这些MOSFET适用于多种应用场合,包括但不限于:
    - 开关模式和共振模式电源
    - 反激式逆变器
    - 直流斩波器

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 耐压(VDSS) | 1000 | - | 1000 | V |
    | 栅极击穿电压(VDGR) | 1000 | - | 1000 | V |
    | 漏源导通电流(ID25) | - | 750 | - | mA |
    | 最大耗散功率(PD) | - | 40 | - | W |
    | 热阻(RthJC) | - | 3.1 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    特点
    1. 高压封装:采用TO-263HV高压封装,适应高电压应用。
    2. 快速开关时间:具有出色的开关速度,可提高系统效率。
    3. 抗雪崩能力:具备抗雪崩特性,确保在恶劣条件下可靠运行。
    4. 高功率密度:利用HDMOS工艺实现高功率密度,节省空间。
    5. 坚固的多晶硅栅极单元结构:确保长期稳定性和可靠性。
    优势
    1. 高功率密度:由于高效率和紧凑封装,能够实现更高的功率输出。
    2. 节省空间:通过高压封装和高集成度,减少整体电路板空间需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关模式电源:IXTA05N100HV系列非常适合用于高效能开关电源的设计。它能够显著降低开关损耗,提高电源转换效率。
    2. 逆变器:这些MOSFET也可用于各种逆变器电路,如光伏逆变器、UPS等。它们能够承受高电流并快速切换,从而保证系统的稳定性。
    使用建议
    - 散热管理:在高功率应用中,需要有效散热以避免过热。可以考虑采用外部散热片或热管进行辅助散热。
    - 驱动电路设计:为了充分发挥其快速开关特性,建议使用低阻抗栅极驱动电路,例如使用专用的MOSFET驱动芯片。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 这些MOSFET具有良好的互换性,可以在不同的高压应用中轻松替换。它们与常见的驱动电路兼容。
    支持和服务
    - IXYS公司提供了详尽的技术支持和客户服务,包括详细的资料文档、应用程序指南和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免MOSFET过热?
    解决方案:确保正确的散热措施,例如安装散热片或使用风扇。避免长时间在高功率下连续运行,适当间歇性工作,以减轻热应力。
    问题2:MOSFET导通电阻偏高怎么办?
    解决方案:检查驱动电路是否存在问题,确保驱动信号正确无误。增加驱动电路的驱动能力,减小栅极电阻,以改善导通性能。

    总结和推荐


    IXTA05N100HV、IXTA05N100和IXTP05N100系列高压N通道增强模式功率MOSFET具有出色的性能和广泛的应用范围。这些产品凭借其高功率密度、快速开关时间和抗雪崩能力,在开关电源、逆变器和其他高压应用中表现出色。如果你正在寻找一款可靠的高压MOSFET来提升你的设计性能,强烈推荐使用IXYS的这些产品。

IXTP05N100参数

参数
Id-连续漏极电流 750mA
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 40W(Tc)
栅极电荷 7.8nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 260pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 1KV
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 17Ω@ 375mA,10V
长*宽*高 10.41mm*4.83mm*16mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP05N100厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP05N100数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP05N100 IXTP05N100数据手册

IXTP05N100封装设计

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