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IXTQ32N65X

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 500W(Tc) 30V 5.5V@ 250µA 54nC@ 10 V 1个N沟道 650V 135mΩ@ 16A,10V 32A 2.205nF@25V TO-3P 通孔安装
供应商型号: IXTQ32N65X
供应商: 国内现货
标准整包数: 390
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTQ32N65X

IXTQ32N65X概述


    产品简介


    IXTP32N65X / IXTQ32N65X / IXTH32N65X 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于IXYS公司出品的X-Class系列。这类器件属于N-沟道增强型器件,适用于各种高功率密度的应用场景。其核心特点在于低导通电阻(RDS(on))和较低的门极电荷(QG),并且具备快速内在二极管的特点。

    技术参数


    以下是技术手册中提取出的主要技术参数和技术规格:
    - 额定电压(VDSS):650V
    - 最大连续漏极电流(ID25):32A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):64A
    - 瞬态dv/dt能力:30 V/ns
    - 最大功率耗散(PD):500W
    - 最大结温(TJ):-55℃至+150℃
    - 最大引线焊接温度(TL):300℃
    - 焊接时间(TSOLD):260℃(1.6mm从外壳)
    - 安装扭矩(Md):1.13 Nm/lb.in
    - 重量:TO-220(3.0g)、TO-3P(5.5g)、TO-247(6.0g)
    其他关键特性还包括输入电阻(RGi)为2.6Ω,输入电容(Ciss)为2205pF,输出电容(Coss)为1600pF,反向转移电容(Crss)为30pF等。

    产品特点和优势


    这款MOSFET具有多项独特的功能和优势,主要体现在以下几个方面:
    - 低RDS(on) 和 QG:使得其在高频率和高温环境下仍能保持良好的性能。
    - 低封装电感:有助于减少开关损耗。
    - 快速内在二极管:可有效提高电路效率和可靠性。
    - 高功率密度:适合空间有限的应用场景。
    - 易于安装:便于集成到现有系统中。
    - 节省空间:轻薄设计,适合空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    IXTP32N65X系列广泛应用于多个领域,如:
    - 开关电源和共振模式电源:确保稳定高效的电力转换。
    - 直流-直流转换器:适用于多种电力管理系统。
    - 功率因数校正电路:提高电能利用率。
    - 交流和直流电机驱动:用于工业控制和自动化设备。
    - 机器人和伺服控制:提供精准和可靠的电机控制。
    使用建议:
    - 在高频操作下,需考虑并联使用以降低RDS(on),减少功率损耗。
    - 确保电路设计时考虑合适的散热措施,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    此款MOSFET提供了不同封装选择(TO-220, TO-3P, TO-247),便于适应不同的应用场景。厂商IXYS提供了详细的规格书和数据表,并对相关技术和应用提供支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:开机时出现异常发热
    - 解决方法:检查电源电压是否超过额定值,确保散热设计合理。

    - 问题2:电路不稳定,无法正常工作
    - 解决方法:确认驱动信号强度及频率是否符合要求,确保所有接线正确无误。

    总结和推荐


    IXTP32N65X 系列是高效能的MOSFET产品,具备低RDS(on) 和 QG、低封装电感、快速内在二极管等特点,在高功率密度和高效应用场合表现优异。其易于安装和紧凑的设计使其成为众多工业领域的理想选择。总体来看,我们强烈推荐该产品在需要高可靠性和高效率的应用中使用。

IXTQ32N65X参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 32A
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
栅极电荷 54nC@ 10 V
最大功率耗散 500W(Tc)
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.205nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 135mΩ@ 16A,10V
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTQ32N65X厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTQ32N65X数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTQ32N65X IXTQ32N65X数据手册

IXTQ32N65X封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
390+ ¥ 43.8691
780+ ¥ 42.3432
1170+ ¥ 41.5803
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