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IXTP2R4N120P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 125W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 37nC@ 10 V 1个N沟道 1.2KV 7.5Ω@ 500mA,10V 2.4A 1.207nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.66mm*4.83mm*9.15mm
供应商型号: IXTP2R4N120P
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP2R4N120P

IXTP2R4N120P概述

    # IXYS Corporation Polar TM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXYS Corporation 的 Polar TM 系列提供了一种高可靠性的 N-通道增强型功率 MOSFET,适用于各种高电压和高电流应用。主要型号包括 IXTA2R4N120P、IXTP2R4N120P 和 IXTH2R4N120P。这些 MOSFET 在直流转换器、开关电源、电机驱动等领域表现出色,尤其适合激光、火花点火器和射频发生器中的放电电路。

    技术参数


    极限参数
    - 最大漏源电压(VDSS):1200 V
    - 最大栅源电压(VGSS):连续 ±30 V,瞬时 ±40 V
    - 最大漏极电流(ID):25℃时为 2.4 A,脉冲模式下可达 6.0 A
    - 最大雪崩耐量(EAS):25℃时为 200 mJ
    - 最大耗散功率(PD):25℃时为 125 W
    - 工作温度范围(TJ):-55℃ 至 +150℃
    - 储存温度范围(Tstg):-55℃ 至 +150℃
    电气特性
    - 栅源击穿电压(BVDSS):1200 V
    - 门限电压(VGS(th)):2.5 V 至 4.5 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):最大 7.5 Ω
    - 栅漏电荷(Qg):典型值 37 nC
    - 输出电容(Coss):典型值 57 pF
    - 二极管反向恢复时间(trr):典型值 920 ns

    产品特点和优势


    特点
    - 符合国际标准封装
    - 低栅电荷(QG)
    - 雪崩耐量(Avalanche Rated)
    - 低寄生电感
    - 快速本征二极管
    优势
    - 高功率密度
    - 易于安装
    - 节省空间

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 直流-直流转换器
    - 开关模式和共振模式电源
    - 交流和直流电机驱动
    - 激光、火花点火器、射频发生器中的放电电路
    - 高压脉冲功率应用
    使用建议
    - 在设计应用时,考虑最高环境温度对功率耗散的影响,确保散热设计合理。
    - 根据具体应用场景选择合适的封装类型,以满足机械强度和散热要求。
    - 使用外部栅极电阻(例如 18 Ω)来限制开关速度,防止过高的 dv/dt 引起的振荡。

    兼容性和支持


    - 这些 MOSFET 与主流封装标准兼容,如 TO-220、TO-263 和 TO-247。
    - 用户可以从 IXYS 获取详尽的技术文档和支持,包括安装指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    问题1:过热导致的失效
    解决方案: 确保良好的散热措施,例如使用散热片或强制风冷,降低工作环境温度。
    问题2:高速开关下的电磁干扰
    解决方案: 添加外部栅极电阻,控制开关速度,减小 dv/dt 和 di/dt。
    问题3:栅极信号不稳
    解决方案: 使用短且粗的栅极线缆,减少寄生电感,保持栅极信号稳定。

    总结和推荐


    IXYS Corporation 的 Polar TM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 系列展示了卓越的性能和可靠性。它们适用于多种高压、高电流应用场景,并具备易安装、节省空间等优势。如果您正在寻找高性能的 MOSFET 用于高可靠性需求的应用,我们强烈推荐 IXYS 的这款产品。

IXTP2R4N120P参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 37nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.207nF@25V
最大功率耗散 125W(Tc)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5Ω@ 500mA,10V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 2.4A
长*宽*高 10.66mm*4.83mm*9.15mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP2R4N120P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP2R4N120P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P数据手册

IXTP2R4N120P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 18.9371
2000+ ¥ 18.2784
3000+ ¥ 17.949
库存: 18000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 18937.1
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型号 价格(含增值税)
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06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
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10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831