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IXTY1R6N50D2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 100W(Tc) 20V 23.7nC@ 5 V 1个N沟道 500V 2.3Ω@ 800mA,0V 1.6A 645pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.22mm*6.73mm*2.38mm
供应商型号: 747-IXTY1R6N50D2
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2概述

    IXTY1R6N50D2 N-Channel Depletion Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXTY1R6N50D2 是一款N-通道耗尽模式金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由IXYS公司生产。这种类型的MOSFET通常用于需要高电压和高电流的应用场合,如音频放大器、启动电路、保护电路、斜率发生器、电流调节器和活动负载等。它们具备正常开启的工作模式,能够简化电路设计并提高效率。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSX 500V
    | VGSX | 连续 | ±20V
    | VGSM | 暂态 | ±30V
    | PD 100W
    | TJ -55~+150°C
    | TJM 150°C
    | Tstg -55~+150°C
    | TL 300°C
    | TSOLD 260°C
    | RDS(on) 2.3Ω
    | IDSX(off) 2μA | 25μA |
    | Ciss 645pF
    | Crss 16.5pF
    | Coss 65pF
    | gfs 1.00 ~ 1.75 S

    3. 产品特点和优势


    IXTY1R6N50D2 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 正常开启模式:这意味着当没有施加电压时,该MOSFET处于导通状态,不需要额外的偏置电压来维持其导通状态。
    - 国际标准封装:提供了多种封装选择(TO-252、TO-263、TO-220),以适应不同的安装需求。
    - 阻燃材料:模具环氧树脂符合UL94V-0的阻燃等级,确保安全可靠性。
    - 易于安装:具有良好的安装特性,减少安装复杂度。
    - 节省空间:紧凑的设计可以节省电路板的空间。
    - 高功率密度:能够在有限的空间内实现高功率输出,提高系统整体性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 音频放大器:在这种应用中,IXTY1R6N50D2 可以作为功率放大器中的关键元件,提供稳定的输出。
    - 启动电路:用于需要快速响应的电路,如电源启动电路。
    - 保护电路:可应用于过载保护、短路保护等。
    - 斜率发生器:用于产生精确的斜率波形,适用于信号处理等领域。
    - 电流调节器:可以在多种电路中调节电流,保证稳定供电。
    - 活动负载:适用于要求动态响应快、低损耗的应用。
    使用建议:
    - 在音频放大器应用中,考虑到噪声敏感性,确保适当的去耦电容和良好的散热管理。
    - 在启动电路和保护电路中,注意不要超过额定电流和电压限制,以免损坏器件。
    - 对于高频应用,关注寄生电容的影响,适当选择驱动电路以减少不必要的开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    IXTY1R6N50D2 系列产品具有多种封装选项(TO-252、TO-263、TO-220),能够轻松集成到不同类型的电路板中。IXYS公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线文档、客户支持热线和技术论坛,以便用户在使用过程中获得必要的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确安装IXTY1R6N50D2?
    - 答:请遵循制造商提供的安装指南,确保使用正确的扭矩拧紧螺栓,以避免过紧或过松导致的损坏。
    2. 问:在高温环境下,如何保持器件性能?
    - 答:通过采用有效的散热措施,如加装散热片或使用风扇,确保器件在安全的工作温度范围内运行。
    3. 问:如何避免电流过大导致的损坏?
    - 答:使用适当的电流限制和保护电路,如熔断器和过流保护IC,以防止器件因电流过大而损坏。

    7. 总结和推荐


    IXTY1R6N50D2 N-Channel Depletion Mode MOSFET 集成了许多独特的功能和优势,如正常开启模式、高功率密度和易于安装等特点,使其在多种应用场合中表现出色。总体来看,该产品在音视频、电源管理和控制系统等方面有着广泛的应用前景。对于需要高可靠性和高效能的用户来说,IXTY1R6N50D2 是一个值得考虑的选择。
    综上所述,我强烈推荐这款产品给那些对性能和可靠性有高要求的应用项目。

IXTY1R6N50D2参数

参数
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 645pF@25V
栅极电荷 23.7nC@ 5 V
Id-连续漏极电流 1.6A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3Ω@ 800mA,0V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 100W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 独立式
长*宽*高 6.22mm*6.73mm*2.38mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTY1R6N50D2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTY1R6N50D2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2数据手册

IXTY1R6N50D2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 4.393 ¥ 37.1209
10+ $ 4.158 ¥ 35.1351
25+ $ 2.673 ¥ 22.5868
70+ $ 2.268 ¥ 19.1646
560+ $ 1.9224 ¥ 16.2443
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