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IXFR44N50Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 310W(Tc) 20V 4V@4mA 190nC@ 10 V 1个N沟道 500V 120mΩ@ 22A,10V 34A 7nF@25V TO-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: IXFR44N50Q
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFR44N50Q

IXFR44N50Q概述


    产品简介


    IXFR 44N50Q 和 IXFR 48N50Q 高压N沟道增强型功率MOSFET
    IXFR系列是IXYS公司生产的高压N沟道增强型功率MOSFET,特别设计用于高效能的应用场景。这些产品以其出色的性能和可靠性著称,适用于多种电力转换和控制应用。该系列产品采用电隔离背面结构(ISOPLUS 247TM),能够在保持高功率密度的同时提供良好的电气隔离。

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS):最大500V
    - 连续栅极电压 (VGS):±20V
    - 瞬态栅极电压 (VGSM):±30V
    - 漏极电流 (ID25):25°C时为34A(44N50Q)/40A(48N50Q)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):25°C时为176A(44N50Q)/192A(48N50Q)
    - 雪崩能量 (EAS):25°C时为2.5J
    - 功率耗散 (PD):25°C时为310W
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJC):0.40K/W
    - 输入电容 (Ciss):典型值为7000pF
    - 输出电容 (Coss):典型值为960pF
    - 反向恢复时间 (trr):≤250ns

    产品特点和优势


    - 硅芯片直接铜键合基板 (Direct-Copper-Bond substrate):提供高功率耗散能力和优良的热稳定性。
    - 电隔离背面结构 (Electrically Isolated Backside):提供2500V电气隔离,提升安全性。
    - 低栅源漏间电容 (<30pF):有助于降低开关损耗,提高效率。
    - 快速内在二极管: 快速恢复时间,适用于硬开关应用。
    - IXYS先进的低Qg工艺:确保高效的开关性能。
    - 坚固的多晶硅栅极单元结构: 提升可靠性,适用于高电流应用。

    应用案例和使用建议


    应用领域:这类MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源供应器、直流斩波器以及交流电机控制等领域。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,需要注意快速内在二极管的影响,避免因过度反向恢复电流而损坏。
    - 设计时考虑散热问题,特别是在高功率应用中,要确保良好的热管理。
    - 在高频开关应用中,考虑利用低栅源漏间电容以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此类MOSFET可以与大多数标准直流-直流转换器、电源模块和开关模式电源兼容。
    - 支持:IXYS提供全面的技术支持和应用指南,确保客户能够正确选择和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何降低MOSFET的开关损耗?
    - 解决方案:通过减小栅源间电容(Cgs)并优化驱动电路来实现。

    2. 问题:如何处理热问题?
    - 解决方案:设计有效的散热系统,如使用散热片或水冷系统,确保MOSFET的工作温度不超过最大额定值。

    3. 问题:快速内在二极管对电路的影响是什么?
    - 解决方案:使用专用的快速恢复二极管进行补偿,以减轻其对电路性能的影响。

    总结和推荐


    综上所述,IXFR 44N50Q 和 IXFR 48N50Q 功率MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,在各种高要求的应用场景中表现出色。其高功率密度、优秀的电气隔离性能和高效开关特性使其成为许多电力电子设计的理想选择。如果你正在寻找一款高性能且可靠的高压MOSFET,IXFR系列无疑是值得推荐的选择。

IXFR44N50Q参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 190nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 22A,10V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@4mA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 34A
通道数量 1
最大功率耗散 310W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7nF@25V
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFR44N50Q厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFR44N50Q数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFR44N50Q IXFR44N50Q数据手册

IXFR44N50Q封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 134.8174
600+ ¥ 130.1281
900+ ¥ 127.7834
库存: 630
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