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IXTK400N15X4

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.5KW(Tc) 20V 4.5V@1mA 430nC@ 10 V 1个N沟道 150V 3.1mΩ@ 100A,10V 400A 14.5nF@25V TO-264 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTK400N15X4
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTK400N15X4

IXTK400N15X4概述

    # IXYS Corporation IXTK400N15X4 和 IXTX400N15X4 产品技术手册

    产品简介


    IXYS Corporation 的 IXTK400N15X4 和 IXTX400N15X4 是两款高性能的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电源转换应用。这些器件具有低栅电荷(Low QG)、低输出电容(Low Package Inductance)和雪崩额定值(Avalanche Rated)等特点,能够在高温环境下保持稳定的性能。
    主要功能
    - 低输出电容:降低开关损耗,提高效率。
    - 低栅电荷:减少驱动电流需求,提升系统响应速度。
    - 雪崩额定值:确保在恶劣工作环境中稳定运行。
    应用领域
    - 开关模式和共振模式电源供应:如数据中心、服务器、工业自动化设备等。
    - 直流-直流转换器:适用于需要高效能量转换的应用。
    - 功率因数校正电路(PFC):用于提高系统能效。
    - 交流和直流电机驱动:如工业机器人和伺服控制。
    - 机器人和伺服控制:用于高性能控制系统的电力管理。

    技术参数


    以下是IXTK400N15X4和IXTX400N15X4的主要技术规格:
    | 参数 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: |
    | 栅极-源极电压(连续) | ± 20 | V |
    | 栅极-源极电压(瞬时) | ± 30 | V |
    | 漏极-源极电压(TJ = 25°C至175°C) | 150 | V |
    | 漏极电流(TC = 25°C) | 400 | A |
    | 冲击电流(TC = 25°C) | 900 | A |
    | 输出功率(TC = 25°C) | 1500 | W |
    | 转导系数(ID = 60A,VDS = 10V) | 100 | S |
    | 栅极输入电阻 | 1.2 | Ω |
    | 输入电容(f = 1MHz) | 14.5 | nF |
    | 门限电压(VDS = 10V,ID = 100A) | 2.4 | mΩ |

    产品特点和优势


    特点
    - 国际标准封装:易于集成到现有系统中。
    - 低栅电荷:减少驱动功耗。
    - 低输出电容:改善高频工作条件下的开关性能。
    - 雪崩额定值:提高可靠性,适合高冲击电流环境。
    优势
    - 高功率密度:在有限的空间内提供更大的功率。
    - 安装简便:支持快速便捷的安装过程。
    - 节省空间:适用于紧凑型设计。

    应用案例和使用建议


    IXTK400N15X4和IXTX400N15X4主要应用于开关模式电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动等领域。例如,在一个数据中心的电源管理系统中,可以使用这些MOSFET来提高整体效率和稳定性。在设计和使用这些器件时,建议注意以下几点:
    - 温度管理:确保MOSFET在安全的工作温度范围内运行。
    - 散热设计:合理选择散热材料和设计,以避免过热。
    - 正确的驱动电路:使用合适的驱动电路以保证MOSFET正常工作。

    兼容性和支持


    IXTK400N15X4和IXTX400N15X4分别采用TO-264和PLUS247封装,支持广泛的应用平台。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. MOSFET温度过高
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或风扇,确保良好的空气流通。

    2. 栅极驱动信号不稳定
    - 解决方案:确认驱动电路设计正确,适当调整门限电压,确保足够的驱动能力。
    3. 漏极电流波动
    - 解决方案:检查外部负载及供电电路,确保供电电压和电流的稳定。

    总结和推荐


    IXTK400N15X4和IXTX400N15X4是性能优异的N沟道增强型功率MOSFET,具备高功率密度、安装简便、节省空间等优点。它们特别适合于开关模式电源、直流-直流转换器和电机驱动等应用场合。我们强烈推荐在相关应用中使用这些器件,它们将为您带来高效的能源管理和稳定可靠的性能。

IXTK400N15X4参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 430nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14.5nF@25V
最大功率耗散 1.5KW(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1mA
Vds-漏源极击穿电压 150V
Id-连续漏极电流 400A
Rds(On)-漏源导通电阻 3.1mΩ@ 100A,10V
通道数量 1
配置 -
通用封装 TO-264
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTK400N15X4厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTK400N15X4数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTK400N15X4 IXTK400N15X4数据手册

IXTK400N15X4封装设计

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