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IXTP6N50D2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 96nC@ 5 V 1个N沟道 500V 500mΩ@ 3A,0V 6A 2.8nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.66mm*4.83mm*16mm
供应商型号: TS-IXTP6N50D2
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP6N50D2

IXTP6N50D2概述

    IXTA6N50D2、IXTP6N50D2 和 IXTH6N50D2:N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXTA6N50D2、IXTP6N50D2 和 IXTH6N50D2 是 IXYS 公司推出的高性能 N-Channel 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件主要应用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流调节器和有源负载等领域。这些 MOSFET 具有增强型设计,通常处于导通状态,且具有多种标准封装形式,适用于各种高功率密度应用。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 栅极对源极电压 (VGSX):±20V
    - 栅极对源极瞬时电压 (VGSM):±30V
    - 最大耗散功率 (PD):300W(在 25°C 时)
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 到 +150°C
    - 储存温度范围 (Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 焊接温度 (TL):300°C(1.6mm 距离壳体持续 10 秒)
    - 电气特性:
    - 击穿电压 (BVDSX):≥500V
    - 栅极关断电压 (VGS(off)):-2.5V 至 -4.5V
    - 栅极漏电流 (IGSX):±100nA
    - 导通漏电流 (IDSX(off)):≤5μA(在 125°C 时)
    - 导通电阻 (RDS(on)):≤500mΩ(在 0V 时)
    - 电容特性:
    - 输入电容 (Ciss):2800pF
    - 输出电容 (Coss):255pF
    - 反向传输电容 (Crss):64pF
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)):28ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):82ns
    - 上升时间 (tr):72ns
    - 下降时间 (tf):43ns
    - 热阻抗:
    - 结到壳体热阻 (RthJC):0.41°C/W
    - 结到散热器热阻 (RthCS):TO-220:0.50°C/W;TO-247:0.21°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 通常为导通模式:这使得这些 MOSFET 在许多应用中可以作为常开开关使用。
    - 国际标准封装:提供多种封装选择,便于集成到不同的电路设计中。
    - 高可靠性:材料符合 UL94V-0 阻燃等级,保证了产品的长期稳定性和可靠性。
    - 易于安装:标准化封装设计使得安装过程更加简便。
    - 空间节省:紧凑的设计能够在有限的空间内实现高效的电源转换。
    - 高功率密度:这些器件能够在较小的体积内实现较大的功率处理能力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 音频放大器:在音频放大器中,IXTA6N50D2、IXTP6N50D2 和 IXTH6N50D2 可以作为输出级的开关,提供低电阻和低损耗的电流路径。
    - 启动电路:用于启动电路时,它们能提供快速的响应时间和低导通电阻,确保系统能够高效启动。
    - 电流调节器:在电流调节器应用中,这些 MOSFET 的低导通电阻有助于减少功耗并提高效率。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,注意控制散热以防止过热。
    - 确保栅极驱动电路设计合理,避免电压尖峰和振铃。
    - 对于高温环境,选用更高耐温等级的封装以确保可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    这些 MOSFET 器件具有广泛的兼容性,可与多种标准电路和系统配合使用。IXYS 公司提供了详尽的技术支持和维护服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间高电流通过时发热严重。
    - 解决方案:使用合适的散热片或散热器,并确保良好的热管理设计。

    - 问题:栅极驱动电路不稳定导致异常操作。
    - 解决方案:使用合适且稳定的栅极驱动电路,并确保足够的去耦电容以减小电压波动。

    7. 总结和推荐


    IXTA6N50D2、IXTP6N50D2 和 IXTH6N50D2 是高性能的 N-Channel MOSFET 器件,具备出色的导通特性和可靠性。它们广泛适用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流调节器和有源负载等多种应用场景。在设计高效率、高功率密度的电路时,这些器件是理想的选择。因此,强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的项目中使用这些产品。

IXTP6N50D2参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 96nC@ 5 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 3A,0V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.8nF@25V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 300W(Tc)
长*宽*高 10.66mm*4.83mm*16mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP6N50D2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP6N50D2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP6N50D2 IXTP6N50D2数据手册

IXTP6N50D2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 6.3562 ¥ 54.0277
100+ $ 5.7447 ¥ 48.8299
250+ $ 5.4834 ¥ 46.6089
500+ $ 5.358 ¥ 45.543
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