处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFX240N25X3

IXFX240N25X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.25KW(Tc) 20V 4.5V@8mA 345nC@ 10 V 1个N沟道 250V 5mΩ@ 120A,10V 240A 23.8nF@25V 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFX240N25X3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFX240N25X3

IXFX240N25X3概述


    产品简介


    IXFK240N25X3 和 IXFX240N25X3 是由 IXYS 公司设计制造的高性能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件属于 N-沟道增强型器件,具备雪崩击穿能力和快速内在二极管,适用于开关模式电源、谐振模式电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动以及其他工业控制应用。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 额定电压 (V): 250V (VDSS)
    - 额定电流 (A): 240A (ID25)
    - 最小导通电阻 (Ω): 4.1mΩ (RDS(on))
    - 极限参数:
    - 极限电压 (V): 250V (VDSS, VDGR)
    - 极限栅源电压 (V): ±20V (VGSS)
    - 极限电流 (A): 240A (ID25)
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (Ω): ≤5.0mΩ (RDS(on))
    - 输入电容 (nF): 23.8 (Ciss)
    - 输出电容 (pF): 3.7 (Coss)
    - 反馈电容 (pF): 1.5 (Crss)
    - 工作环境:
    - 工作温度范围 (℃): -55...+150℃ (TJ, Tstg)
    - 结温 (℃): 150℃ (TJM)

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 国际标准封装
    - 低导通电阻和门电荷 (RDS(ON) 和 QG)
    - 雪崩击穿等级
    - 低封装电感
    优势:
    - 高功率密度
    - 安装方便
    - 节省空间

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关模式电源和谐振模式电源
    - 直流-直流转换器
    - 功率因数校正电路
    - 交流和直流电机驱动
    - 机器人及伺服控制
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,应注意散热设计,以确保结温不超出极限。
    - 使用该器件进行开关操作时,要注意其瞬态热阻抗,合理安排脉冲宽度,避免热累积。
    - 在高频率操作时,需考虑输出电容的影响,确保系统的稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件采用国际标准封装,易于与其他标准电路板和组件兼容。
    - 支持: IXYS 提供详尽的技术文档和客户支持,包括产品手册、应用指南和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 温度过高导致损坏。
    - 解决办法: 确保良好的散热设计,安装散热片,选择合适的驱动器。

    2. 问题: 开关损耗大。
    - 解决办法: 优化驱动电路,减少开关时间,降低驱动信号的上升/下降时间。

    3. 问题: 电流过大。
    - 解决办法: 检查负载情况,调整驱动器的输出电流限制。

    总结和推荐


    综上所述,IXFK240N25X3 和 IXFX240N25X3 是高性能的功率 MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性的特点。适合用于高效率的电源转换和电机控制应用。在设计和使用过程中,应充分考虑其工作环境和条件,合理规划散热措施。总体而言,这两款器件在市场上表现出色,值得推荐给需要高性能功率 MOSFET 的用户。

IXFX240N25X3参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 23.8nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 120A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@8mA
Id-连续漏极电流 240A
最大功率耗散 1.25KW(Tc)
通道数量 -
栅极电荷 345nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 250V
配置 -
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFX240N25X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFX240N25X3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFX240N25X3 IXFX240N25X3数据手册

IXFX240N25X3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 34.4127 ¥ 288.3786
库存: 600
起订量: 2 增量: 30
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 288.37
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504