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IXTT96N15P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 480W(Tc) 20V 5V@ 250µA 110nC@ 10 V 1个N沟道 150V 24mΩ@ 500mA,10V 96A 3.5nF@25V TO-268AA 贴片安装 16.05mm*14mm*5.1mm
供应商型号: IXTT96N15P
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTT96N15P

IXTT96N15P概述

    IXTQ 96N15P 和 IXTT 96N15P 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXTQ 96N15P 和 IXTT 96N15P 是由IXYS公司生产的功率N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。这两款产品以其高可靠性、低导通电阻和易于驱动的特点而闻名。它们适用于多种电子设备,如电源转换系统、电机驱动器、开关电源和汽车电子等领域。

    技术参数


    以下是这些产品的关键技术和性能参数:
    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \):150 V(\( TJ = 25^\circ C \) 至 \( 150^\circ C \))
    - 栅极-源极电压 \( V{GSS} \):连续 \(\pm 20\) V;瞬态 \(\pm 30\) V
    - 漏极电流 \( ID \):25°C时可达 96 A(连续),250 A(脉冲)
    - 雪崩耐量 \( E{AS} \):25°C时可达 1.0 J
    - 功耗 \( PD \):25°C时可达 480 W
    - 工作温度范围 \( TJ \):\(-55^\circ C\) 到 \(+175^\circ C\)
    - 储存温度 \( T{STG} \):\(-55^\circ C\) 到 \(+150^\circ C\)
    - 典型值
    - 开启电压 \( V{GS(th)} \):2.5 V 至 5.0 V
    - 输入电容 \( C{iss} \):3500 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):1000 pF(\( V{GS} = 0 V \),\( V{DS} = 25 V \),频率为 1 MHz)
    - 反向传输电容 \( C{rss} \):280 pF
    - 导通时间 \( t{d(on)} \):30 ns
    - 导通时间 \( t{d(off)} \):66 ns(\( RG = 4 \Omega \) 外部)
    - 热阻
    - 结至壳体热阻 \( R{thJC} \):0.31°C/W
    - 结至散热片热阻 \( R{thCS} \):0.21°C/W(TO-3P 封装)

    产品特点和优势


    这些产品具备以下特点和优势:
    - 国际标准封装:适合广泛应用,具有良好的互换性。
    - 无钳位感性开关 (UIS) 额定值:能承受瞬态高压冲击。
    - 低封装电感:便于驱动和保护。
    - 易于安装:简化安装过程。
    - 节省空间:紧凑设计节约空间。
    - 高功率密度:提高整体效率。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换系统:适用于各类电源转换,能够有效降低能量损耗。
    - 电机驱动器:提供快速开关速度和高可靠性。
    - 开关电源:适用于需要高效率和低功耗的应用场合。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保选择合适的驱动电阻以避免过高的电压波动。
    - 考虑使用适当的散热措施以维持较低的工作温度。

    兼容性和支持


    - 这些产品与其他标准接口兼容,方便集成到现有系统中。
    - 厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,确保用户在使用过程中得到全面的支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的漏极电流导致发热严重。
    - 解决方案:使用散热片或风扇进行强制冷却。
    - 问题2:电压波动引起器件损坏。
    - 解决方案:增加缓冲电路,确保电压稳定。
    - 问题3:导通时间较长导致效率下降。
    - 解决方案:优化驱动信号,减小导通时间。

    总结和推荐


    IXTQ 96N15P 和 IXTT 96N15P 是高性能功率 MOSFET 的优秀代表。它们具有出色的性能参数、广泛的应用范围以及较高的可靠性和易用性。如果您正在寻找一款适合各种电力转换和驱动应用的产品,强烈推荐选择 IXTQ 96N15P 或 IXTT 96N15P。

IXTT96N15P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.5nF@25V
最大功率耗散 480W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 500mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 150V
栅极电荷 110nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
通道数量 1
Id-连续漏极电流 96A
配置 独立式
长*宽*高 16.05mm*14mm*5.1mm
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTT96N15P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTT96N15P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTT96N15P IXTT96N15P数据手册

IXTT96N15P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 48.6062
900+ ¥ 46.9155
1350+ ¥ 46.0702
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