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IXFL38N100P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 520W(Tc) 30V 6.5V@1mA 350nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 230mΩ@ 19A,10V 29A 24nF@25V TO-264-3 贴片安装,通孔安装 20.29mm*5.21mm*26.42mm
供应商型号: IXFL38N100P
供应商: TME
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFL38N100P

IXFL38N100P概述

    IXFL38N100P Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXFL38N100P 是一款由 IXYS Corporation 生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它适用于各种高功率应用,包括开关模式和谐振模式电源、直流-直流转换器、激光驱动器以及交流和直流电机驱动等。该器件具有出色的电气隔离特性,能够处理高电压和高电流,在恶劣的工作环境中表现出色。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DSS} \): 1000V
    - 最大栅源电压 \( V{GSS} \): ±30V(连续),±40V(瞬时)
    - 最大漏极电流 \( ID \): 29A(TC=25°C),120A(脉冲)
    - 最大雪崩电流 \( IA \): 19A(TC=25°C)
    - 最大瞬态dv/dt:15V/ns(\( IS \leq I{DM} \),\( V{DD} \leq V{DSS} \),\( TJ \leq 150°C \))
    - 电气特性
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): ≤ 230mΩ(\( V{GS} = 10V \),\( ID = 19A \))
    - 输入电容 \( C{iss} \): 24nF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 1245pF(\( V{GS} = 0V \),\( V{DS} = 25V \),\( f = 1MHz \))
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \): ≤ 300ns
    - 温度范围
    - 工作温度 \( TJ \): -55°C ~ +150°C
    - 结温极限 \( T{JM} \): 150°C
    - 储存温度 \( T{stg} \): -55°C ~ +150°C
    - 热特性
    - 结到壳热阻 \( R{thJC} \): 0.24°C/W
    - 源到壳热阻 \( R{thCS} \): 0.15°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度:直接铜键合衬底上的硅芯片设计,提供出色的功率耗散能力。
    - 隔离安装表面:电气隔离的安装表面,最高可达 2500V 的电气隔离。
    - 国际标准封装:采用 miniBLOC 封装,带有氮化铝绝缘层。
    - 快速本征二极管:快速恢复本征二极管,提供更高效的能量转换。
    - 易组装:模块化的封装设计简化了组装过程,节省空间。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 开关模式和谐振模式电源
    - 直流-直流转换器
    - 激光驱动器
    - 交流和直流电机驱动
    - 机器人和伺服控制系统
    - 使用建议:
    - 在使用过程中应注意其工作温度限制,避免超过 150°C。
    - 在大电流环境下,确保良好的散热条件以避免过热。
    - 在高频应用中,注意其输入电容和输出电容的特性,以优化系统性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IXFL38N100P 与其他标准 MOSFET 具有良好的兼容性,适用于多种电路设计。
    - 技术支持:IXYS Corporation 提供详细的技术文档和客户支持,确保用户能够正确使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热导致性能下降。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或冷却风扇。
    - 问题2:瞬态dv/dt过高引起误触发。
    - 解决方案:增加外部栅极电阻 \( RG \),减小 \( RG \) 值可以降低 dv/dt,但需注意对开关损耗的影响。
    - 问题3:输入电容和输出电容引起的噪声问题。
    - 解决方案:添加适当的滤波电路以减少噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    IXFL38N100P 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种高功率应用。其高功率密度、电气隔离和快速恢复二极管等特性使其在市场上具备显著的竞争优势。考虑到其广泛应用领域和技术参数的优越性,强烈推荐用于高功率系统的设计中。对于需要高效、可靠的高功率解决方案的工程师和设计师来说,IXFL38N100P 是一个值得信赖的选择。

IXFL38N100P参数

参数
栅极电荷 350nC@ 10 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@ 19A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 24nF@25V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@1mA
Id-连续漏极电流 29A
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 520W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 1KV
长*宽*高 20.29mm*5.21mm*26.42mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 贴片安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFL38N100P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFL38N100P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFL38N100P IXFL38N100P数据手册

IXFL38N100P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 44.975 ¥ 364.8372
3+ $ 38.136 ¥ 322.2492
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