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IXTA4N150HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 280W(Tc) 30V 5V@ 250µA 44.5nC@ 10 V 1个N沟道 1.5KV 6Ω@ 500mA,10V 4A 1.576nF@25V TO-263AA 贴片安装
供应商型号: 747-IXTA4N150HV
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA4N150HV

IXTA4N150HV概述

    高压功率MOSFET技术手册

    产品简介


    本产品是IXYS公司推出的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(High Voltage Power MOSFETs),具体型号为IXTA4N150HV 和 IXTT4N150HV。这类器件主要用于高压电源转换、电容器放电以及脉冲电路中。它们的特点包括高阻断电压、快速固有二极管和低封装电感,使得它们在高可靠性、高性能的应用场景中表现优异。

    技术参数


    - 阻断电压:VDSS = 1500V(从TJ=25°C到150°C)
    - 连续栅源电压:VGSS = ±30V
    - 瞬态栅源电压:VGSM = ±40V
    - 漏极电流(ID):ID25 = 4A
    - 最大漏极电流(IDM):IDM = 12A
    - 导通电阻(RDS(on)):RDS(on) ≤ 6Ω(VGS = 10V, ID = 0.5•ID25)
    - 雪崩能量耐受度(EAS):EAS = 350mJ(TC = 25°C)
    - 最大结温:TJ = -55 ... +150°C
    - 最大存储温度:Tstg = -55 ... +150°C
    - 最高焊接引线温度:TL = 300°C
    - 热阻:RthJC = 0.45°C/W
    - 反向恢复时间(trr):trr = 0.9 μs
    - 反向电流(IRM):IRM = 15.0 A

    产品特点和优势


    - 易于安装:这款MOSFET设计考虑到了安装的简便性,减少了安装复杂性。
    - 节省空间:采用紧凑型封装,能够实现更高的功率密度。
    - 高功率密度:通过优化结构,提高单位体积的功率输出。

    应用案例和使用建议


    这些器件广泛应用于需要高压输出的场合,如高压电源供应系统、电容器放电电路以及脉冲发生电路。在使用时,建议确保工作条件符合产品规格,特别是在高电流和高电压的情况下,要保证散热充分以避免过热。此外,在设计电路时,可以参考厂商提供的输入输出特性曲线图来优化系统性能。

    兼容性和支持


    这两种MOSFET器件均具有较高的通用性,适用于多种标准插座和连接器。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,包括在线资源库、技术文档以及客户支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热
    - 解决办法:检查散热措施,确保安装环境符合规定温度范围,必要时增加散热片或冷却风扇。
    - 问题2:开关速度慢
    - 解决办法:调整外部栅极电阻以优化开关特性。
    - 问题3:漏电流大
    - 解决办法:确认接线正确无误,检查是否存在外部干扰因素。

    总结和推荐


    综上所述,IXTA4N150HV和IXTT4N150HV在高压电源转换及类似应用场景中表现出色,具备高可靠性和出色的电气性能。对于追求高效能、紧凑设计的应用,这两个型号的MOSFET无疑是一个很好的选择。我们强烈推荐这两款产品给需要高性能高压MOSFET解决方案的设计者。

IXTA4N150HV参数

参数
最大功率耗散 280W(Tc)
栅极电荷 44.5nC@ 10 V
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 1.5KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.576nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 6Ω@ 500mA,10V
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA4N150HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA4N150HV数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA4N150HV IXTA4N150HV数据手册

IXTA4N150HV封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 15.962 ¥ 134.8789
50+ $ 10.0764 ¥ 85.1456
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250+ $ 9.03 ¥ 76.3035
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