处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFH50N20

IXFH50N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@4mA 220nC@ 10 V 1个N沟道 200V 45mΩ@ 25A,10V 50A 4.4nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: LDL-IXFH50N20
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH50N20

IXFH50N20概述

    高性能功率MOSFET——HiPerFET™系列技术手册

    产品简介


    HiPerFET™系列是IXYS公司推出的一款高性能N通道增强型功率MOSFET产品,采用先进的HDMOS™工艺技术,具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关性能及高可靠性等特点。HiPerFET™系列产品广泛应用于多种电子系统,包括但不限于直流-直流转换器、电池充电器、AC电机控制、温度与照明控制、同步整流等场合。这些特性使其成为高效能电力电子设计的理想选择。

    技术参数


    以下是HiPerFET™系列的关键技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 耐压(VDSS) | - | - | 200 | V |
    | 栅极阈值电压(VGS(th)) | 2 | 3 | 4 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 0.040 | - | Ω |
    | 漏极电流(ID) | 42 | 58 | - | A |
    | 封装形式 | TO-204 | TO-247 | TO-268 | - |

    产品特点和优势


    HiPerFET™系列的主要特点如下:
    1. 低导通电阻:典型值为0.040Ω,适合高效率电源管理。
    2. 高耐压能力:最大工作电压可达200V,适应各种高压环境。
    3. 快速开关性能:优秀的开关速度有助于减少能量损耗。
    4. 集成保护机制:具备无钳位电感切换(UIS)额定值,增强了设备的安全性和稳定性。
    5. 高功率密度:紧凑的设计允许更高的功率输出,同时保持较小的物理尺寸。

    应用案例和使用建议


    HiPerFET™系列在以下应用中有出色表现:
    - DC-DC转换器:由于其高效的开关性能,非常适合用于高频DC-DC转换器中。
    - 电池管理系统:能够提供稳定的电流输出,确保电池组的安全运行。
    - 电机驱动器:适用于需要精确控制的大功率电机应用。
    对于具体应用时,建议根据实际负载情况合理设置驱动电路,并考虑散热措施以避免过热现象发生。

    兼容性和支持


    该产品兼容主流的标准封装形式,便于与其他模块化组件集成使用。IXYS公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决开发过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备发热严重。
    解决方案:检查是否正确安装了足够的散热片;优化PCB布局以改善空气流通。
    - 问题2:开关频率不稳定。
    解决方案:确认驱动信号的质量;调整栅极电阻值来优化开关行为。

    总结和推荐


    综上所述,HiPerFET™系列凭借其卓越的性能指标,在众多电力电子应用领域展现出强大的竞争力。无论是从技术层面还是经济角度考量,它都是值得推荐的产品之一。如果你正在寻找一款既可靠又能满足多样化需求的功率MOSFET器件,那么HiPerFET™系列无疑是一个非常好的选项。

IXFH50N20参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 25A,10V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 300W(Tc)
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.4nF@25V
栅极电荷 220nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@4mA
通道数量 1
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFH50N20厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH50N20数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH50N20 IXFH50N20数据手册

IXFH50N20封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 34.827 ¥ 291.8503
库存: 190
起订量: 19 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 291.85
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336