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IXFB60N80P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.25KW(Tc) 30V 5V@8mA 250nC@ 10 V 1个N沟道 800V 140mΩ@ 30A,10V 60A 18nF@25V PLUS-264-3 通孔安装 20.29mm*5.31mm*26.59mm
供应商型号: 747-IXFB60N80P
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFB60N80P

IXFB60N80P概述

    # PolarHV™ HiPerFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    PolarHV™ HiPerFET 是一种高性能N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高功率和高频开关电源设计中。它具备出色的电气特性和可靠性,能够满足多种应用场景的需求,如电机驱动、电动汽车充电系统和太阳能逆变器等。

    技术参数


    PolarHV™ HiPerFET 的主要技术参数如下:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 栅源电压绝对最大值(VGSS) ±30 V |
    | 漏源电压绝对最大值(VDSS) 800 V |
    | 栅漏电压绝对最大值(VDGR) 800 V |
    | 额定漏电流(ID25) 60 A
    | 击穿电压(BVDSS) 800 V
    | 栅漏电荷(QG) | 250 nC
    | 栅极栅源电容(Crss) 44 pF
    | 门级栅源电容(Ciss) | 18 nF
    | 栅极栅漏电容(Coss) 1200 pF
    其他性能参数包括:快速恢复二极管(fast recovery diode)、无钳位电感开关(UIS)评级、低封装电感等。

    产品特点和优势


    PolarHV™ HiPerFET 在市场上具备明显的优势,主要体现在以下几个方面:
    - 快速恢复二极管:提供更高效的能量转换效率。
    - 无钳位电感开关评级:确保在高压应用中的可靠性和耐用性。
    - 低封装电感:便于驱动和保护。
    - 紧凑的PLUS264TM封装:适用于空间有限的应用。
    - 高功率密度:适用于需要高功率密度的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    PolarHV™ HiPerFET 在多种高功率转换应用中表现出色,例如:
    - 电动汽车充电系统:快速可靠的电力传输。
    - 太阳能逆变器:提高能源转换效率。
    - 工业电机驱动:提升整体系统性能。
    使用建议
    - 在设计时需注意电路板布局,减少外部电感对MOSFET的影响。
    - 使用适当大小的栅极电阻以优化开关速度。
    - 注意散热设计,特别是在高温环境中运行。

    兼容性和支持


    PolarHV™ HiPerFET 采用标准封装,易于与其他元器件配合使用。此外,IXYS公司提供了详细的技术文档和丰富的支持资源,帮助用户快速解决问题并提高系统的可靠性。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. MOSFET过热
    - 解决方法:检查散热片是否安装正确,考虑加装风扇或其他冷却装置。
    2. 启动时不稳定
    - 解决方法:确保所有连接都正确无误,特别是电源和信号线。
    3. 栅极电压过高导致损坏
    - 解决方法:增加栅极电阻,限制电流,避免瞬间过压。

    总结和推荐


    总体来看,PolarHV™ HiPerFET MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,在高功率转换应用中表现优异。特别适合于对可靠性要求极高的场合。我们强烈推荐在类似项目中使用此产品。

IXFB60N80P参数

参数
Id-连续漏极电流 60A
Vds-漏源极击穿电压 800V
通道数量 1
栅极电荷 250nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@ 30A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 18nF@25V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 1.25KW(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
长*宽*高 20.29mm*5.31mm*26.59mm
通用封装 PLUS-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFB60N80P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFB60N80P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFB60N80P IXFB60N80P数据手册

IXFB60N80P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 31.801 ¥ 268.7185
10+ $ 30.1644 ¥ 254.8892
25+ $ 20.736 ¥ 175.2192
库存: 296
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