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IXFN230N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 700W(Tc) 20V 4V@8mA 570nC@ 10 V 1个N沟道 100V 6mΩ@ 500mA,10V 230A 19nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.23mm*25.42mm*9.6mm
供应商型号: LDL-IXFN230N10
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN230N10

IXFN230N10概述


    产品简介


    产品名称:IXFN230N10 Power MOSFET
    类型:单芯片N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)
    主要功能:
    - 高电压耐受能力(100V)
    - 大电流处理能力(230A)
    - 低导通电阻(RDS(on) ≤ 6.0mΩ)
    - 快速恢复二极管(trr ≤ 250ns)
    应用领域:
    - 直流-直流转换器(DC-DC converters)
    - 电池充电器(Battery chargers)
    - 开关模式电源(Switched-mode and resonant-mode power supplies)
    - 直流斩波器(DC choppers)
    - 温度和照明控制(Temperature and lighting controls)

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS): 100V
    - 最大重复电流 (ISM): 920A
    - 最大连续栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 最大瞬态栅源电压 (VGSM): ±30V
    - 最大耗散功率 (Pd): 700W (TC = 25°C)
    - 最大结温 (TJ): -55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 隔离电压 (VISOL): 50/60 Hz, RMS t = 1min, 2500V
    - 安装扭矩 (Md): 1.5Nm/13 lb.in.
    - 终端连接扭矩: 1.3Nm/11.5 lb.in.
    - 重量: 30g

    产品特点和优势


    特点:
    - 国际标准封装(miniBLOC,带有氮化铝隔离)
    - 低RDS(on),采用HDMOS工艺
    - 鲁棒的多晶硅门极单元结构
    - 额定雪崩耐受能力
    - 保证的最大安全工作区(FBSOA)
    - 低引脚电感
    - 快速内置整流器
    优势:
    - 易于安装
    - 节省空间
    - 高功率密度

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在直流-直流转换器中,IXFN230N10 MOSFET可作为高效开关元件,提升系统的整体效率。
    - 在电池充电器应用中,IXFN230N10能够快速响应并提供稳定的充电电流。
    使用建议:
    - 确保在高功率应用中,散热措施到位,以防止热失控。
    - 使用时注意电压和电流限制,避免超过器件的最大额定值。
    - 为了确保最佳性能,建议使用外部门极电阻(RG)进行优化。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - IXFN230N10具有与标准SOT-227封装兼容的尺寸和接口,易于集成到现有系统中。
    - 可与常见的驱动电路和控制器配合使用,无需额外的适配器。
    支持:
    - IXYS公司提供全面的技术支持,包括详尽的数据手册、应用笔记和技术咨询。
    - 如有需要,可联系IXYS公司获取更详细的培训和支持服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问题:在高温环境下,器件性能不稳定
    - 解决方案: 确保有效的散热管理,如使用散热片或风扇进行散热。

    2. 问题:器件损坏后无法正常工作
    - 解决方案: 检查是否超出了最大额定电压或电流,更换损坏的器件,并确保正确的连接方式。

    3. 问题:驱动电路不匹配
    - 解决方案: 使用合适的门极驱动器,并遵循制造商的建议。

    总结和推荐


    总结:
    IXFN230N10 MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管,适用于多种高功率应用场合。其低导通电阻、高电流处理能力和快速恢复二极管的特点使其成为高性能电源转换应用的理想选择。
    推荐:
    基于其卓越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐IXFN230N10 MOSFET 在各种高功率应用中使用。只要遵循正确的安装和使用指南,它将为您的设计提供出色的可靠性和效率。

IXFN230N10参数

参数
通道数量 1
最大功率耗散 700W(Tc)
栅极电荷 570nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 500mA,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式双源
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 19nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 230A
长*宽*高 38.23mm*25.42mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFN230N10厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN230N10数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN230N10 IXFN230N10数据手册

IXFN230N10封装设计

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