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IXFR140N20P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 5V@4mA 240nC@ 10 V 1个N沟道 200V 22mΩ@ 45A,10V 90A 7.5nF@25V TO-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: 1300089
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFR140N20P

IXFR140N20P概述

    PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET IXFR 140N20P 技术手册

    产品简介


    PolarHTTM HiPerFET 是一款由 IXYS 公司设计制造的高性能 N-沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款 MOSFET 采用 ISOPLUS247 封装,具有低导通电阻、快速体二极管等特点,适用于高功率密度的应用场景。该器件主要用于电力电子转换系统、电机驱动、逆变器和电源管理等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) |
    ||
    | 击穿电压 VDSS | 200 V | 200 V | 200 V |
    | 漏源导通电阻 RDS(on)| 17 mΩ | 22 mΩ | 22 mΩ |
    | 栅漏电容 Ciss | - | 7500 pF | - |
    | 漏栅电容 Coss | - | 1800 pF | - |
    | 栅源电容 Crss | - | 280 pF | - |
    | 栅源泄漏电流 IGSS | -200 nA | -200 nA | 200 nA |
    | 门极充电 Qg | - | 240 nC | - |
    | 栅极-源极电荷 Qgs | - | 50 nC | - |
    | 栅极-漏极电荷 Qgd | - | 100 nC | - |
    | 输出特性 @25°C | - | - | - |

    产品特点和优势


    PolarHTTM HiPerFET 的主要优势包括:
    1. 国际标准封装:UL 认证的封装设计,符合行业标准。
    2. 无钳位感性开关 (UIS):能够承受瞬态高能量冲击。
    3. 低封装电感:易于驱动和保护,减少外部电路复杂度。
    4. 快速体二极管:提升整体性能。
    5. 易安装:结构紧凑,节省空间。
    6. 高功率密度:适用于高效率应用。

    应用案例和使用建议


    PolarHTTM HiPerFET MOSFET 广泛应用于逆变器、电机驱动和其他高功率电子系统中。根据技术手册中的输出特性图,可以观察到在不同的 VGS 电压下,最大漏源电流 ID 随着 VDS 的变化情况。建议用户在使用时考虑 VGS 电压范围内的最佳工作点,以确保器件的可靠运行。例如,在 VGS = 10V 时,漏源电流可达 140A。此外,需要注意控制温度和电流以避免热击穿现象。

    兼容性和支持


    PolarHTTM HiPerFET 具有良好的兼容性,可与其他标准电子元器件配套使用。IXYS 提供详尽的技术文档和客户支持,包括详细的测试报告、应用指南和技术咨询。这有助于用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下工作时,器件性能下降。
    解决方法:选择散热更好的 PCB 设计,并使用适当的散热片。

    2. 问题:开启和关闭时间过长。
    解决方法:调整栅极驱动电路的参数,如增加驱动电流或降低栅极电阻。
    3. 问题:漏源导通电阻 RDS(on) 大于预期。
    解决方法:确保 VGS 达到最佳工作电压,如 10V 或更高。

    总结和推荐


    PolarHTTM HiPerFET IXFR 140N20P MOSFET 是一款性能优异的电力电子器件,适用于多种高功率应用场合。其低导通电阻、快速体二极管和易安装的特点使其在市场上具备较高的竞争力。经过全面的评估,我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效率和可靠性的应用场景中。

IXFR140N20P参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 45A,10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 240nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@4mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.5nF@25V
Id-连续漏极电流 90A
配置 独立式
最大功率耗散 300W(Tc)
通道数量 1
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,管装

IXFR140N20P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFR140N20P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFR140N20P IXFR140N20P数据手册

IXFR140N20P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 119.6256
5+ ¥ 107.1846
10+ ¥ 105.2705
50+ ¥ 105.2705
100+ ¥ 103.3565
250+ ¥ 103.3565
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