处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFX32N50Q

IXFX32N50Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 416W(Tc) 20V 4.5V@4mA 150nC@ 10 V 1个N沟道 500V 160mΩ@ 16A,10V 32A 3.95nF@25V TO-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: IXFX32N50Q
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFX32N50Q

IXFX32N50Q概述


    产品简介


    IXYS公司的IXFK 32N50Q 和 IXFX 32N50Q 是一款高可靠性、高性能的N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强模式N沟道功率MOSFET)。这些MOSFET在硬开关条件下表现出色,适用于各种工业控制、电机驱动和电源转换应用。它们具备低栅极电荷(Qg)、低输入和输出电容(Ciss、Coss)等特点,有助于降低能耗并提升系统整体效率。

    技术参数


    - 电压参数:
    - VDSS(最大漏源击穿电压):500 V
    - VDGR(最大栅极到源极击穿电压):500 V
    - VGS(最大栅极电压):±20 V(连续)
    - VGS(瞬态栅极电压):±30 V
    - 电流参数:
    - ID(最大漏极电流):32 A(连续)
    - IDM(脉冲漏极电流):120 A
    - IAR(最大允许雪崩电流):32 A
    - EAR(单脉冲雪崩能量):45 mJ
    - 热参数:
    - PD(最大功耗):416 W
    - TJ(工作温度范围):-55°C 到 +150°C
    - TJM(结温):150°C
    - Tstg(存储温度范围):-55°C 到 +150°C
    - 机械参数:
    - 尺寸:多种尺寸规格,详见数据表
    - 安装扭矩:1.13 Nm

    产品特点和优势


    1. IXYS先进的低Qg工艺:提供了更低的栅极电荷和电容,使得器件更容易驱动,同时提高开关速度。
    2. 标准封装:采用国际标准封装,方便集成到各类电路设计中。
    3. 低RDS(on):0.16 Ω的导通电阻,能够有效减少功耗。
    4. 无钳位感性开关(UIS)额定值:具备抗浪涌能力。
    5. UL 94V-0阻燃等级的塑封材料:确保产品具有高度的安全性。

    应用案例和使用建议


    - 工业控制:适用于高精度控制系统,例如自动化生产线和机器人。
    - 电机驱动:可以高效驱动各种类型的电动机,提供稳定的电流和低功耗。
    - 电源转换:适用于高效率的电源转换应用,如开关电源和逆变器。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合其工作环境的温度要求,特别是在高温环境下。
    - 在选择外部栅极电阻时,根据具体的应用需求来调整,以达到最优的开关性能。

    兼容性和支持


    这些MOSFET采用标准的封装形式,易于与其他电子元器件兼容。制造商提供详细的安装指导和技术支持,以帮助客户顺利完成产品选型和应用。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高频开关应用中出现过高的栅极电压。
    - 解决方案:增加栅极电阻(RG),限制驱动电流,防止过电压。

    - 问题:器件在高电流情况下导通电阻异常增大。
    - 解决方案:检查电路设计是否存在散热不良的情况,确保良好的散热条件。

    总结和推荐


    综上所述,IXFK 32N50Q 和 IXFX 32N50Q 在各项技术参数和性能方面表现优异,特别适合在高功率密度、高可靠性要求的应用场合。推荐在对性能有较高要求的工业控制、电机驱动和电源转换等领域中使用。

IXFX32N50Q参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 32A
栅极电荷 150nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.95nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 16A,10V
最大功率耗散 416W(Tc)
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFX32N50Q厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFX32N50Q数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFX32N50Q IXFX32N50Q数据手册

IXFX32N50Q封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 60.2903
900+ ¥ 58.1933
1350+ ¥ 57.1447
库存: 1041
起订量: 450 增量: 450
交货地:
最小起订量为:450
合计: ¥ 27130.63
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0