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IXFB210N20P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.5KW(Tc) 20V 4.5V@8mA 255nC@ 10 V 1个N沟道 200V 10.5mΩ@ 105A,10V 210A 18.6nF@25V PLUS-264-3 通孔安装
供应商型号: IXFB210N20P
供应商: 国内现货
标准整包数: 250
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFB210N20P

IXFB210N20P概述

    PolarTM HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品名称: PolarTM HiPerFETTM
    产品类型: N-通道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)
    主要功能:
    - 高电流处理能力
    - 低导通电阻 (RDS(ON))
    - 快速体二极管
    应用领域:
    - 直流-直流转换器 (DC-DC Converters)
    - 电池充电器 (Battery Chargers)
    - 开关模式电源 (Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies)
    - 直流斩波器 (DC Choppers)
    - 交流和直流电机驱动 (AC and DC Motor Drives)
    - 不间断电源 (Uninterrupted Power Supplies)
    - 高速功率开关应用 (High Speed Power Switching Applications)

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS(漏源电压): 200 V
    - VDGR(栅极间击穿电压): 200 V
    - VGSS(栅源电压): 连续 ±20 V,瞬态 ±30 V
    - ID(连续电流): 210 A(芯片能力)
    - ILRMS(有效电流限制): 160 A
    - IDM(脉冲电流): 600 A
    - TA(壳温): -55 ... +175 °C
    - TJM(最高结温): 175 °C
    - TSTG(存储温度范围): -55 ... +175 °C
    - PD(最大耗散功率): 1500 W
    - TL(端子耐热时间): 300 °C
    - TSOL(塑料外壳耐热时间): 260 °C
    - 重量: 10 g
    - 安装力: 30...120 N/lb.
    - 典型值:
    - BVDSS(击穿电压): 200 V
    - VGS(th)(门限电压): 2.5 V 至 4.5 V
    - IDSS(漏源饱和电流): 25 μA(TJ = 150°C)
    - RDS(on)(导通电阻): 10.5 mΩ(VGS = 10V, ID = 0.5 ID25)
    - trr(反向恢复时间): ≤ 200 ns
    - Qg(栅极电荷): 255 nC
    - Qgd(栅漏电荷): 83 nC
    - 热阻抗:
    - RthJC: 0.10 °C/W
    - RthCS: 0.13 °C/W

    产品特点和优势


    特点:
    - 低封装电感
    - 雪崩耐受能力
    - 高电流处理能力
    - 低RDS(ON)和QG
    - 快速体二极管
    优势:
    - 易于安装
    - 节省空间
    - 高功率密度

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在直流-直流转换器和电池充电器中,该MOSFET表现出优异的性能,尤其是在高功率密度和紧凑设计的需求下。
    - 在开关模式电源和电机驱动系统中,其低导通电阻和快速恢复二极管特性可以显著提高效率和响应速度。
    使用建议:
    - 在高频应用中,建议采用较小的栅极电阻以优化开关速度。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施,以防止过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准电子元器件具有良好的兼容性,适用于各种工业和消费电子应用。厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括产品手册、应用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    问题1: 无法正常开关。
    解决方法: 检查栅极电压是否在规定的范围内,确保外部电路连接正确无误。
    问题2: 热管理不佳。
    解决方法: 使用合适的散热片和热界面材料,确保良好的热传导路径。

    总结和推荐


    综合评估:
    PolarTM HiPerFETTM 提供了出色的性能和可靠性,特别适合于高电流、高功率密度的应用场景。其独特的功能使其在市场上具备很强的竞争优势。推荐用于需要高性能和高可靠性的应用环境中。
    推荐: 强烈推荐使用PolarTM HiPerFETTM,特别是在需要高电流、高功率密度和高可靠性的应用中。

IXFB210N20P参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 255nC@ 10 V
最大功率耗散 1.5KW(Tc)
Id-连续漏极电流 210A
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 10.5mΩ@ 105A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 18.6nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@8mA
通用封装 PLUS-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFB210N20P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFB210N20P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFB210N20P IXFB210N20P数据手册

IXFB210N20P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
250+ ¥ 254.3956
500+ ¥ 245.5471
750+ ¥ 241.1228
库存: 1675
起订量: 250 增量: 250
交货地:
最小起订量为:250
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