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IXFA130N10T2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 360W(Tc) 20V 4.5V@1mA 130nC@ 10 V 1个N沟道 100V 9.1mΩ@ 65A,10V 130A 6.6nF@25V TO-263-3 贴片安装
供应商型号: ZT-IXFA130N10T2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFA130N10T2

IXFA130N10T2概述

    # 高性能N沟道增强型场效应晶体管技术手册

    产品简介


    产品名称:IXFA130N10T2 和 IXFP130N10T2
    IXFA130N10T2 和 IXFP130N10T2 是高性能N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET),具有极低的导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力。这些器件被广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源、斩波器、交流电机驱动和不间断电源系统等领域。

    技术参数


    主要规格
    - 最大额定电压(VDSS):100V(Junction Temperature 25°C 至 175°C)
    - 连续栅极电压(VGSS):±20V
    - 瞬态栅极电压(VGSM):±30V
    - 漏极电流(ID):130A(芯片能力)
    电气特性
    - 热阻抗(RthJC):0.42°C/W(至封装热阻)
    - 结到外壳热阻(RthCH):0.50°C/W(至封装热阻)
    - 输入电容(Ciss):6600pF
    - 输出电容(Coss):640pF
    - 反向传输电容(Crss):133pF
    工作环境
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 最高工作温度(TJM):175°C
    - 焊接温度(Tsold):260°C(塑料外壳,持续10秒)
    - 引线焊接温度(TL):300°C(距离外壳1.6mm,持续10秒)

    产品特点和优势


    特点
    - 符合国际标准封装
    - 能够在高达175°C的温度下工作
    - 高电流处理能力
    - 快速内在二极管
    - 动态dV/dt额定值
    - 低导通电阻
    优势
    - 安装简便
    - 节省空间
    - 高功率密度

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IXFA130N10T2 和 IXFP130N10T2 可用于多种应用场合,如直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源等。例如,在直流-直流转换器中,它们可以高效地控制电源转换过程,提高系统的整体效率。
    使用建议
    为了最大限度地发挥IXFA130N10T2 和 IXFP130N10T2 的性能,建议采取以下措施:
    1. 确保良好的散热管理,特别是在高电流和高功率环境下。
    2. 使用高质量的栅极驱动电路以降低寄生电感和减少噪声干扰。
    3. 在设计时充分考虑器件的封装尺寸和引脚布局,以确保最佳的电气性能。

    兼容性和支持


    IXFA130N10T2 和 IXFP130N10T2 支持广泛的封装选项,包括TO-263和TO-220。IXYS公司为客户提供全面的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中能够得到及时的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 如何优化散热?
    - 解决方案:采用高效的散热器和良好的通风设计。同时,选择合适的封装形式,以改善散热性能。
    2. 如何减小栅极驱动电路中的寄生电感?
    - 解决方案:使用短而粗的栅极引线,并尽量缩短引线长度。此外,可以选择较低的栅极电阻来减少寄生电感。
    3. 如何处理过高的峰值电压?
    - 解决方案:使用TVS二极管或其他保护电路来限制电压峰值,确保安全运行。

    总结和推荐


    综合评估
    IXFA130N10T2 和 IXFP130N10T2 是高度可靠且性能卓越的N沟道增强型场效应晶体管,适用于多种高功率应用。其低导通电阻和高电流处理能力使其在各种电力电子系统中表现出色。
    推荐
    基于上述技术参数和应用优势,我们强烈推荐IXFA130N10T2 和 IXFP130N10T2 作为高性能电力电子系统中的关键组件。对于需要高效、稳定且可靠的电力控制的应用场景,这些器件无疑是理想的选择。

IXFA130N10T2参数

参数
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.6nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 9.1mΩ@ 65A,10V
栅极电荷 130nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 130A
最大功率耗散 360W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1mA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 独立式
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFA130N10T2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFA130N10T2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFA130N10T2 IXFA130N10T2数据手册

IXFA130N10T2封装设计

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