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IXTH16P60P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 460W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 92nC@ 10 V 1个P沟道 600V 720mΩ@ 500mA,10V 16A 5.12nF@25V TO-247 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: 747-IXTH16P60P
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH16P60P

IXTH16P60P概述

    # IXTH16P60P 和 IXTT16P60P 技术手册:高性能P沟道增强型功率MOSFET

    产品简介


    基本信息
    IXTH16P60P 和 IXTT16P60P 是由IXYS公司生产的P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件适用于各种高电流和高压应用场合,提供了出色的开关特性和低导通电阻。其主要特点包括国际标准封装、高可靠性、低封装电感以及快速的内部二极管。
    主要功能
    - P沟道增强模式: 适用于高侧开关和推挽放大器等应用。
    - 高耐压能力: 最大耐压高达600V,适用于高压电路设计。
    - 低导通电阻: 在25℃时最大导通电阻为720mΩ,提高效率。
    - 快速开关特性: 优化的栅极电荷和输出电容使得器件可以实现快速的开关速度。
    应用领域
    - 高侧开关
    - 推挽放大器
    - 直流斩波器
    - 电流调节器
    - 自动测试设备

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 额定值 | 测试条件 |
    |
    | VDSS | -600 V | TJ = 25°C 至 150°C |
    | VGSS | ±20 V | 持续 |
    | IDM | -48 A | TC = 25°C,脉冲宽度受限于 TJM |
    | PD | 460 W | TC = 25°C |
    | TJ | -55 ... +150 °C |
    | TJM | 150 °C |
    | Tstg | -55 ... +150 °C |
    | TL | 300 °C | 1.6mm (0.062 in.) 从外壳开始,持续10秒 |
    | TSOLD | 260 °C | 塑料外壳,持续10秒 |
    | Md | 1.13 / 10 Nm/lb.in. | 安装扭矩(TO-247) |
    | Weight | TO-268: 4 g
    TO-247: 6 g |
    特性参数
    | 参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 测试条件 |

    | BVDSS | -600 V VGS = 0V, ID = -250μA |
    | VGS(th) | -2.0 V | -4.0 V VDS = VGS, ID = -250μA |
    | IGSS | ±100 nA VGS = ±20V, VDS = 0V |
    | IDSS | -25 μA VDS = VDSS, VGS = 0V |
    | RDS(on) 720 mΩ VGS = -10V, ID = 0.5 • ID25 |
    开关参数
    | 参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 测试条件 |

    | gfS | 11 | 18 VDS = -10V, ID = 0.5 • ID25 |
    | Ciss | 5120 pF |
    | Coss | 445 pF VGS = 0V, VDS = -25V, f = 1MHz |
    | Crss | 60 pF |
    | td(on) | 29 ns |
    | tr | 25 ns |
    | td(off) | 60 ns |
    | tf | 38 ns |
    散热参数
    | 参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 测试条件 |

    | RthJC | 0.27 °C/W |
    | RthCS | 0.21 °C/W |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 国际标准封装: 支持TO-247和TO-268两种封装形式,易于集成到现有系统中。
    - 高可靠性: 通过了雪崩试验验证,具备高可靠性和长寿命。
    - 快速开关特性: 优化的栅极电荷和输出电容确保了快速的开关速度。
    - 低封装电感: 有助于减少寄生效应,提高系统的整体性能。
    市场竞争力
    - 高功率密度: 在紧凑的封装内提供高电流和电压处理能力。
    - 空间节省: 适用于对空间要求严格的场合,如便携式电子设备和汽车电子系统。
    - 安装简便: 设计便于装配,降低了制造成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 直流斩波器: 在光伏逆变器中作为开关元件,实现了高效的直流到交流转换。
    2. 自动测试设备: 在高精度测试仪器中作为关键部件,确保测试结果的准确性。
    使用建议
    - 散热管理: 由于其较高的功率密度,需要有效的散热措施,如加装散热片或使用液冷方式。
    - 电路布局优化: 尽量减小PCB上的走线长度,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 驱动电路设计: 使用专用的MOSFET驱动器来确保足够的栅极驱动电流,避免驱动不足导致的开关损耗增加。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 这些器件与其他标准MOSFET封装兼容,便于替换和升级。
    - 技术支持: IXYS公司提供了详细的技术文档和专业的技术支持服务,帮助用户更好地理解和应用这些器件。

    常见问题与解决方案


    问题1: 开关频率过高导致器件过热
    解决方案:
    - 优化散热设计: 确保良好的散热条件,如加装散热片或风扇。
    - 降低开关频率: 调整电路设计以降低开关频率,减少热损失。
    问题2: 导通电阻过高
    解决方案:
    - 调整栅极电压: 确保栅极电压达到最佳值,以降低导通电阻。
    - 优化驱动电路: 使用合适的驱动器和门极电阻,确保快速可靠的开关动作。

    总结和推荐


    综合评估
    IXTH16P60P 和 IXTT16P60P 是高性能的P沟道增强型功率MOSFET,以其高电压处理能力、低导通电阻和快速开关特性著称。这些特点使其在多种高压和高电流应用中表现出色,例如高侧开关、推挽放大器和自动测试设备。
    推荐意见
    鉴于其优异的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐IXTH16P60P 和 IXTT16P60P 用于各种需要高效和可靠功率控制的应用场合。如果您正在寻找一个能够提供高可靠性、高效能且易于集成的解决方案,那么IXTH16P60P 和 IXTT16P60P 将是您的理想选择。

IXTH16P60P参数

参数
Id-连续漏极电流 16A
FET类型 1个P沟道
通道数量 1
最大功率耗散 460W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 720mΩ@ 500mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.12nF@25V
配置 独立式
栅极电荷 92nC@ 10 V
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH16P60P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH16P60P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH16P60P IXTH16P60P数据手册

IXTH16P60P封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 12.8455 ¥ 108.5445
10+ $ 11.0484 ¥ 93.359
30+ $ 8.4348 ¥ 71.2741
120+ $ 7.8948 ¥ 66.7111
270+ $ 7.476 ¥ 63.1722
510+ $ 6.93 ¥ 58.5585
库存: 322
起订量: 1 增量: 1
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最小起订量为:1
合计: ¥ 108.54
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