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IXTP44N10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 130W(Tc) 30V 4.5V@ 25µA 33nC@ 10 V 1个N沟道 100V 30mΩ@ 22A,10V 44A 1.262nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.66mm*4.83mm*9.15mm
供应商型号: ZT-IXTP44N10T
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP44N10T

IXTP44N10T概述

    # IXTP44N10T/IXTY44N10T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXTP44N10T 和 IXTY44N10T 是由 IXYS 公司生产的 N-Channel 增强模式功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有超低导通电阻(RDS(on) ≤ 30 mΩ)、高电流承载能力(ID = 44 A)以及高达 175°C 的工作温度范围。这些器件广泛应用于汽车电子、电源转换系统、同步整流及高压开关电路等领域。
    主要功能
    - 提供极低的导通电阻,适用于需要高效能电力传输的应用。
    - 支持高频率开关操作,具有快速开关特性和低栅极电荷(Qg)。
    - 支持高工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适合恶劣环境下的长期运行。
    应用领域
    - 汽车电子:电机驱动、ABS 系统和 42V 动力总线。
    - 通信设备:DC/DC 转换器和 UPS(不间断电源)。
    - 工业控制:分布式电源架构和 VRM(电压调节模块)。
    - 高压电路:同步整流及高压开关应用。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS(最大漏源电压) | 85 V | - | 100 V |
    | VGS(th)(开启门限电压) | 2.5 V | 3.5 V | 4.5 V |
    | RDS(on)(导通电阻) | 22 mΩ | 26 mΩ | 30 mΩ |
    | IDS(连续漏极电流) | 44 A | - | - |
    | PD(耗散功率) | - | 130 W | - |
    | TJ(工作结温) | -55°C | 25°C | 175°C |
    其他特性:
    - 未钳位感性开关耐量(UIS)额定值。
    - 最大栅极脉冲电压:±30 V。
    - 极低的输入电容和输出电容,减少开关损耗。

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 超低导通电阻:实现高效的电力传输。
    - 宽工作温度范围:适应严苛的工作环境。
    - 快速开关时间:显著降低开关损耗。
    - 低寄生电感:简化电路设计和保护。
    优势
    - 高可靠性与稳定性,确保长寿命使用。
    - 减少外部元件需求,节省成本和空间。
    - 提升系统的整体效率和性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在电动汽车动力总线中,IXTP44N10T 可用于电池管理系统中的开关电路,以实现高效的能量管理。
    - 在工业逆变器中,该器件能够提供高频率开关操作,从而提高系统效率并减少发热。
    使用建议
    - 确保正确连接栅极电阻(RG),以避免过高的开关应力。
    - 在高频开关应用中,合理布置 PCB 布线以减小寄生电感的影响。
    - 根据具体应用要求选择合适的散热方案,尤其是高功率密度应用中。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 支持标准 TO-220 和 TO-252 封装形式,易于集成到现有设计中。
    - 与其他主流品牌器件引脚兼容,便于替代现有方案。
    支持服务
    - 提供详尽的技术文档和应用指南。
    - 提供样品测试和技术支持服务,满足客户定制化需求。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过热现象 | 检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇。 |
    | 导通电阻异常升高 | 检查焊接质量,确保引脚接触良好。 |
    | 阻断电压不足导致失效 | 更换符合 VDSS 规格的器件或调整电路设计。|

    7. 总结和推荐


    综合评估
    IXTP44N10T 和 IXTY44N10T 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备超低导通电阻、宽工作温度范围和快速开关特性。其设计充分考虑了现代电力电子应用的需求,广泛适用于汽车、通信和工业领域。
    推荐结论
    - 强烈推荐用于高效率电力传输、高频率开关和恶劣环境下的应用。
    - 建议在进行设计时充分考虑散热和电路布局,以最大化发挥其性能优势。
    通过这款器件,用户可以显著提升系统性能,同时降低能耗和成本,是理想的电力电子解决方案选择。

IXTP44N10T参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
栅极电荷 33nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 25µA
最大功率耗散 130W(Tc)
Id-连续漏极电流 44A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.262nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 22A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
长*宽*高 10.66mm*4.83mm*9.15mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP44N10T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP44N10T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP44N10T IXTP44N10T数据手册

IXTP44N10T封装设计

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