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IXFK180N07

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 568W(Tc) 20V 4V@8mA 420nC@ 10V 1个N沟道 70V 6mΩ@ 500mA,10V 180A 9.4nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: IXFK180N07
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK180N07

IXFK180N07概述

    HiperFET™ Power MOSFETs 技术手册

    产品简介


    HiperFET™ 系列的 IXFK180N07 和 IXFX180N07 是高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有优异的开关特性和低导通电阻。这些产品广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源以及各种温度和照明控制系统中。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(漏源击穿电压):70V
    - VDGR(栅源击穿电压):70V
    - VGSS(栅极电压):连续 ±20V;瞬态 ±30V
    - IDD(最大漏极电流,芯片能力):180A
    - IL(RMS)(外部引线电流限制):160A
    - IDDM(脉冲宽度受限于TJM):720A
    - PD(耗散功率):568W(TC=25°C)
    - 其他关键参数
    - RDS(on)(导通电阻):≤ 6mΩ
    - trr(恢复时间):≤ 250ns
    - Ciss(输入电容):11080pF
    - Coss(输出电容):4540pF
    - Crss(反向传输电容):2500pF
    - Qg(栅极电荷):395nC
    - RthJC(结-壳热阻):0.22°C/W
    - RthCS(引脚-壳热阻):0.15°C/W

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:符合行业标准,便于集成和组装。
    - 雪崩额定值:具有高可靠性,能够在极端条件下稳定工作。
    - 低门极内阻:快速响应时间,提高系统效率。
    - 低寄生电感:减少电磁干扰,提升系统稳定性。
    - 低导通电阻和栅极电荷:减少功耗,提升整体效率。
    - 高功率密度:占用空间小,适合紧凑设计。
    - 易于安装:简化装配流程,降低生产成本。
    - 节省空间:紧凑的尺寸设计,适用于有限的空间布局。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在电池充电器中作为高效开关元件。
    - 在直流-直流转换器中实现快速切换,提高转换效率。
    - 在电力系统中用于电池管理和控制,提供可靠的过载保护。
    使用建议:
    - 鉴于其高温特性,建议在实际应用中保持良好的散热设计,以确保长期稳定运行。
    - 使用过程中需注意避免超负荷使用,特别是在高温环境下。
    - 为防止电容器的过充或欠充,应选择合适的驱动电路。

    兼容性和支持


    - 这些器件与标准接口兼容,可以轻松与其他组件配合使用。
    - 厂商提供详细的技术文档和支持,确保用户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - Q1:设备过热如何处理?
    - A1:加强散热措施,如增加散热片或改进散热设计,确保温度不超过允许的最大值。

    - Q2:设备无法正常启动怎么办?
    - A2:检查电源输入是否稳定,确认所有连接正确无误。如果仍然存在问题,请联系技术支持。

    总结和推荐


    IXFK180N07 和 IXFX180N07 功率 MOSFET 是一款非常优秀的电子元件,具备高功率密度、易于安装和空间节省等特点。其低导通电阻和低栅极电荷特性使其成为高效率应用的理想选择。对于需要高性能、可靠性和易集成的应用场景,我们强烈推荐使用这些产品。

IXFK180N07参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 500mA,10V
栅极电荷 420nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 70V
Id-连续漏极电流 180A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
配置 独立式
最大功率耗散 568W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.4nF@25V
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK180N07厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK180N07数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK180N07 IXFK180N07数据手册

IXFK180N07封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 164.3488
600+ ¥ 158.6323
900+ ¥ 155.7741
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