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IXFH50N50P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 960W(Tc) 30V 5V@4mA 85nC@ 10 V 1个N沟道 500V 120mΩ@ 25A,10V 50A 4.335nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: IXFH50N50P3
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH50N50P3

IXFH50N50P3概述

    IXFT50N50P3/IXFQ50N50P3/IXFH50N50P3 Polar3™ HiperFET™ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    IXFT50N50P3、IXFQ50N50P3和IXFH50N50P3是IXYS公司推出的Polar3™ HiperFET™系列N-通道增强型功率MOSFET。这些产品在开关电源、DC-DC转换器、激光驱动器以及电机驱动器等领域广泛应用,适用于AC和DC电力转换系统。由于其高功率密度、低导通电阻(RDS(on))以及快速响应能力,它们在各种电力电子应用中表现出色。

    技术参数


    以下是这些MOSFET的主要技术参数和性能指标:
    - 最大漏源电压(VDSS):500V
    - 最大栅源电压(VGSS):持续±30V,瞬态±40V
    - 连续漏极电流(ID):25°C时为50A,峰值可达150A
    - 雪崩耐量(EAS):25°C时为500mJ
    - 最大结温(TJ):-55°C至+150°C
    - 最大功耗(PD):25°C时为960W
    - RDS(on):在10V栅压下、25°C时典型值为125mΩ
    - 寄生二极管特性:
    - 最大电流(IS):50A
    - 最大重复脉冲电流(ISM):200A
    - 反向恢复时间(trr):250ns

    产品特点和优势


    1. 快速固有二极管:具备快速响应特性的内置二极管,有效减少了开关损耗。
    2. 雪崩耐量:产品经过雪崩测试验证,具有卓越的过电压保护能力。
    3. 低RDS(on)和QG:极低的导通电阻和栅电荷,确保高效能运行。
    4. 低封装电感:采用低电感封装设计,减少高频噪声干扰。
    5. 高功率密度:在紧凑的设计中提供了更高的输出功率。
    6. 易于安装:提供TO-247、TO-268和TO-3P多种封装形式,便于安装。
    7. 节省空间:适用于空间受限的应用场合。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET广泛应用于多种领域,如开关电源、DC-DC转换器、激光驱动器以及电机驱动器等。例如,在开关电源应用中,这些产品可以显著提高电源效率,减少发热。在电机驱动方面,其高速响应特性有助于实现更精准的控制。
    使用建议:
    1. 散热管理:在高电流和高频率条件下工作时,注意良好的散热设计以避免热击穿。
    2. 驱动电路设计:利用适当的驱动电路和滤波电容,以减少门极振荡并稳定工作。
    3. 布局优化:合理布局PCB以减小寄生电感,特别是在高速开关电路中。

    兼容性和支持


    这些MOSFET与多种标准电路板设计和驱动器兼容。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和软件工具,帮助客户进行有效的设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何选择合适的栅极电阻?
    - A:一般建议使用10欧姆左右的栅极电阻,具体需根据驱动条件调整。
    2. Q:工作温度对RDS(on)有何影响?
    - A:随着温度升高,RDS(on)会逐渐增加。需注意散热设计,防止温度过高。
    3. Q:如何检测MOSFET损坏?
    - A:可以通过测量RDS(on)或直接观察温度上升来判断。若发现异常高温,可能是MOSFET已损坏。

    总结和推荐


    总体而言,IXFT50N50P3/IXFQ50N50P3/IXFH50N50P3系列MOSFET以其高效的性能、便捷的安装方式和高可靠性,在电力电子领域表现优异。无论是用于开关电源还是电机控制,这些产品都是理想的选择。鉴于其出色的性价比和广泛的适用范围,强烈推荐在相关项目中采用。

IXFH50N50P3参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@4mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.335nF@25V
Id-连续漏极电流 50A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 85nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 25A,10V
最大功率耗散 960W(Tc)
通道数量 1
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH50N50P3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH50N50P3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH50N50P3 IXFH50N50P3数据手册

IXFH50N50P3封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 27.9265
900+ ¥ 26.9551
1350+ ¥ 26.4694
库存: 2700
起订量: 450 增量: 450
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最小起订量为:450
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