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IXTP2N65X2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 X2-Class系列, Vds=650 V, 2 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: ZT-IXTP2N65X2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP2N65X2

IXTP2N65X2概述

    # IXTY2N65X2/IXTP2N65X2 X2-Class Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型及功能
    IXTY2N65X2 和 IXTP2N65X2 是由IXYS公司生产的X2级功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它们采用N沟道增强型设计,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 2.3Ω)和高雪崩耐量的特点,适用于各类高频和高效率的应用场景。
    主要功能
    - 高功率密度:适合紧凑型设计
    - 易于安装:简化安装过程
    - 节省空间:优化尺寸以节省电路板空间
    - 电气特性优良:适合开关电源、DC-DC转换器、PFC电路、交流和直流电机驱动等领域
    应用领域
    - 开关电源和谐振模式电源
    - DC-DC转换器
    - PFC电路
    - 交流和直流电机驱动
    - 机器人和伺服控制

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | VDSS(漏源击穿电压) | 650 V |
    | ID25(常温最大漏极电流) | 2 A |
    | RDS(on)(导通电阻) | ≤ 2.3 Ω |
    | VGS(th)(门限电压) | 3.0 ~ 5.0 V |
    | IGSS(最大门极注入电流) | ±100 nA |
    | EAS(单脉冲雪崩能量) | 100 mJ |
    | PD(最大功耗) | 55 W |
    | TSTG(存储温度范围) | -55 ~ +150°C |
    | TJ(结温范围) | -55 ~ +150°C |
    | TG(MAX)(引脚最大焊接温度) | 300 °C |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 国际标准封装:适应广泛的工业标准需求
    - 低栅极电荷(QG):减少驱动损耗,提高效率
    - 雪崩耐量:提高可靠性
    - 低封装电感:降低电磁干扰
    市场竞争力
    - 高功率密度:适合紧凑型设计
    - 易于安装:简化安装过程
    - 空间节省:优化尺寸以节省电路板空间
    - 电气特性优良:适用于各种电力转换和控制场合

    应用案例和使用建议


    应用场景
    该产品广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、PFC电路、电机驱动系统等。由于其高性能和高可靠性,特别适合需要长时间稳定运行的电力电子系统。
    使用建议
    1. 在高频率应用中,应确保散热设计足够有效,避免过热。
    2. 使用过程中,要注意避免过压和过流情况,以免损坏设备。
    3. 安装时,遵循制造商推荐的安装规范,确保正确连接引脚和接地线。

    兼容性和支持


    兼容性
    该产品与其他常见的电子元器件和设备兼容,适用于各种电源转换和控制系统的设计。
    支持和服务
    IXYS公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、安装调试和技术咨询等。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:设备在高温环境下无法正常工作。
    - 解决办法: 重新评估系统的散热设计,增加散热片或采用水冷散热方案。
    2. 问题:设备在启动时出现异常噪声。
    - 解决办法: 检查电路设计,特别是滤波和旁路电容的配置,确保满足要求。
    3. 问题:设备长期使用后出现故障。
    - 解决办法: 定期检查和维护,更换损坏部件,确保设备在正常状态下运行。

    总结和推荐


    综合评估
    IXTY2N65X2 和 IXTP2N65X2 MOSFET 提供了卓越的性能和可靠的稳定性,特别适合高频和高效率的应用。它们具备国际标准封装、易于安装、高功率密度等显著优势,是电源管理和电机控制系统的理想选择。
    推荐结论
    综上所述,强烈推荐这些产品用于各种高要求的电力电子系统。其优良的电气特性、出色的可靠性和广泛的适用性使其成为市场上极具竞争力的产品之一。

IXTP2N65X2参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 180pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3Ω@ 1A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 2A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
最大功率耗散 55W(Tc)
栅极电荷 4.3nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10.3mm(长度)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP2N65X2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP2N65X2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP2N65X2 IXTP2N65X2数据手册

IXTP2N65X2封装设计

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