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IXTA10P50P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个P沟道 500V 1Ω@ 5A,10V 10A 2.84nF@25V TO-263AA 贴片安装 10.41mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: IXTA10P50P
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA10P50P

IXTA10P50P概述

    高质量文章:IXTA10P50P 系列P沟道增强型功率MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    IXTA10P50P、IXTP10P50P、IXTQ10P50P 和 IXTH10P50P 是来自IXYS公司的P沟道增强型功率MOSFET系列。这些器件是专门为高电压、大电流应用而设计的,适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备和电流调节器等领域。每个型号具有不同的封装形式,以适应不同应用场景的需求。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) |
    ||
    | 耐压 (VDSS) | -500 V | - | - |
    | 最大栅极电压 (VGSS) | ±20 V | ±30 V
    | 漏极连续电流 (ID) | -10 A | - | - |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | - | - | -30 A |
    | 二极管正向电流 (ISM) | -10 A | - | -40 A |
    | 开关时间 (td(on)) | 20 ns | - | - |
    | 关断时间 (td(off)) | 52 ns | - | - |
    其他关键参数还包括最大结温 (TJ)、储存温度范围 (Tstg)、热阻 (RthJC) 等。完整的参数列表可以在技术手册中找到。

    3. 产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供多种封装选择,满足不同安装需求。
    - 抗雪崩能力:具备出色的雪崩耐受性,提高了可靠性。
    - 快速固有二极管:内置二极管速度快,有助于减少能量损耗。
    - 低封装电感:减小内部电感,提高电路稳定性。
    - 易安装:采用标准引脚布局,便于安装和调试。

    4. 应用案例和使用建议


    - 高侧开关:适用于需要高电压控制的应用场景,例如电机驱动和逆变器系统。
    - 推挽放大器:适合音频放大器等要求高效输出的应用。
    - 自动测试设备:在各种自动化测试装置中,该系列MOSFET表现出色。
    使用建议:确保负载电流不超过额定值,避免因过载导致损坏。在高频应用中,注意寄生电感的影响,采取适当措施减小电感效应。

    5. 兼容性和支持


    该系列MOSFET与市场上主流的自动测试设备和其他自动化控制系统兼容良好。IXYS公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品选型指南、应用笔记和在线技术支持等。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流超出额定值 | 确保负载电流不超过器件额定值 |
    | 稳定性不佳 | 减少外部寄生电感,优化PCB布局 |
    | 发热严重 | 加强散热措施,使用散热片 |

    7. 总结和推荐


    IXTA10P50P 系列MOSFET凭借其高可靠性和优良的电气性能,在众多高压、大电流应用中表现出色。其多功能性、易安装性以及强大的支持服务使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在高压电力转换、电机控制等场合使用该系列产品。

IXTA10P50P参数

参数
最大功率耗散 300W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 50nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 5A,10V
FET类型 1个P沟道
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.84nF@25V
通道数量 1
长*宽*高 10.41mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA10P50P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA10P50P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA10P50P IXTA10P50P数据手册

IXTA10P50P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 31.4574
600+ ¥ 30.3632
900+ ¥ 29.8161
库存: 2350
起订量: 300 增量: 300
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最小起订量为:300
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