处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFH12N100

IXFH12N100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4.5V@4mA 155nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 1.05Ω@ 6A,10V 12A 4nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: IXFH12N100
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH12N100

IXFH12N100概述

    高质量文章:IXYS HiPerFETTM Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IXYS HiPerFETTM 系列的 Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高性能的电子元器件,适用于多种高功率电子设备。这些 MOSFET 主要用于控制电流的开关操作,在直流-直流转换器、同步整流、电池充电器、开关模式电源和电机控制等领域发挥着重要作用。

    2. 技术参数


    HiPerFETTM Power MOSFET 的技术规格如下:
    - 最大额定值:
    - VDSS(栅源电压): 1000 V
    - VDGR(栅极对壳电压): 1000 V
    - VGS(栅源电压): ±20 V(连续)
    - VGSM(栅极瞬时电压): ±30 V
    - 最大漏极电流 ID25(TC=25°C): 10N100为10 A,12N100为12 A
    - 最大脉冲漏极电流 IDM(TC=25°C): 10N100为40 A,12N100为48 A
    - 最大雪崩耐受能力 EAR(TC=25°C): 30 mJ
    - 最大功率耗散 PD(TC=25°C): 300 W
    - 工作温度范围 TJ(-55°C到+150°C)
    - 电气特性:
    - RDS(on)(导通电阻): 在 VGS = 10 V,ID = 0.5 × ID25 时,10N100为1.20 Ω,12N100为1.05 Ω
    - 特征值:在 TJ = 25°C 时
    - VDSS(栅源电压): 1000 V
    - VGS(th)(阈值电压): 2.0 V 至 4.5 V
    - IGSS(栅源电流): ±100 nA
    - IDSS(漏源电流): 250 μA (TJ = 25°C), 1 mA (TJ = 125°C)
    - 其他参数包括输入电容、输出电容、反向传输电容、开关时间等

    3. 产品特点和优势


    HiPerFETTM Power MOSFET 的主要优势如下:
    - 低 RDS(on): 高效的 HDMOSTM 工艺使得 MOSFET 在高电流下具有非常低的导通电阻,从而减少能耗和提高系统效率。
    - 快速开关特性: 快速的反向恢复时间和高 dv/dt 能力使得它适合高频开关应用。
    - 坚固耐用的栅极结构: 聚硅栅极设计提高了耐久性,增强了抗干扰能力。
    - 高热稳定性: 高功率密度和高热稳定性使其能够在恶劣环境下稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    HiPerFETTM Power MOSFET 广泛应用于以下场合:
    - 直流-直流转换器: 可以高效地控制和调节电压。
    - 电池充电器: 快速且高效的充放电管理。
    - 电机控制: 精确的电流控制能力使其成为电机控制的理想选择。

    使用建议:
    - 在使用 HiPerFETTM Power MOSFET 时,应注意散热问题,尤其是在高电流条件下。可以采用良好的散热措施,如增加散热片或使用散热风扇。
    - 在高频开关应用中,需要考虑寄生电容和反向恢复时间的影响,合理设置栅极驱动电阻以优化性能。

    5. 兼容性和支持


    HiPerFETTM Power MOSFET 支持国际标准封装(TO-247 和 TO-204),可以轻松集成到现有电路中。制造商提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的数据手册和技术文档,以帮助用户进行正确安装和使用。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中出现过热问题
    - A: 检查散热措施是否足够,增加散热片或改善通风条件。
    - Q: MOSFET 寿命短
    - A: 确认工作温度不超过规定范围,并检查是否有足够的保护措施来防止过压或过流。

    7. 总结和推荐


    IXYS HiPerFETTM Power MOSFET 是一款性能卓越的电子元器件,广泛应用于各种高功率设备。其低 RDS(on)、高效率、快速开关特性和坚固耐用的栅极结构使其在许多工业应用中表现出色。如果您的项目需要高性能的功率控制组件,HiPerFETTM Power MOSFET 将是一个理想的选择。

IXFH12N100参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.05Ω@ 6A,10V
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 300W(Tc)
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4nF@25V
通道数量 1
栅极电荷 155nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 1KV
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFH12N100厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH12N100数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH12N100 IXFH12N100数据手册

IXFH12N100封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 164.3488
600+ ¥ 158.6323
900+ ¥ 155.7741
库存: 450
起订量: 300 增量: 300
交货地:
最小起订量为:300
合计: ¥ 49304.64
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336